編輯：DD

ASEMI整流肖特基二極管快資訊！

SiC高壓SBD

由于Si和GaAs的勢(shì)壘高度和臨界電場(chǎng)比寬帶半導(dǎo)體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(2.2eV~3.2eV)，臨界擊穿電場(chǎng)高(2V/cm~4×106V/cm)，飽合速度快(2×107cm/s)，熱導(dǎo)率高為4.9W/(cm·K)，抗化學(xué)腐蝕性強(qiáng)，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。

　　【ASEMI講解肖特基二極管的命名】

　　肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，

　　完整的叫法是：肖特基整流二極管（Schottky Rectifier Diode 縮寫成SR），

　　也有人叫做：肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky Barrier Diode 縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。

　　肖特基：Schottky

　　整流：Rectifier

　　SR:即為肖特基整流二極管

　　Schottky Rectifier Diode:肖特基整二極管，簡(jiǎn)稱：SR,比如：SR107,SR10100CT……

　　勢(shì)壘：Barrier

　　SB:即為肖特基勢(shì)壘二極管

　　肖特基二極管也稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），國(guó)內(nèi)廠家也有叫做"SB1045CT、SR10100、SL…、BL…

MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封裝；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封裝

　　元件的封裝形式也在型號(hào)的前綴第四位字母中體現(xiàn)，例如：

　　MBRD10100CT:第四位的D,表示貼片DPAK封裝

　　MBRB10100CT:第四位的B,表示貼片D2PAK封裝

　　MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

　　TO-252,也就是貼片DPAK封裝；TO-263,也就是貼片D2PAK封裝；任何型號(hào)的命名都有它的規(guī)律性可循。例如：MBR20100CT,型號(hào)中就20100是阿拉伯?dāng)?shù)字，20100中，20是電流，100是電壓。以此類推。