清洗主要工藝參數(shù)和工藝質(zhì)量評(píng)價(jià)

主要工藝參數(shù)有：

節(jié)拍時(shí)間：通常360秒，可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)需要調(diào)節(jié)。

超聲強(qiáng)度：1800W，雙頻設(shè)置，根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)效果調(diào)節(jié)選擇的組合。

清洗溫度：洗劑槽溫度設(shè)置在40~50度；洗凈槽溫度設(shè)置在50~70度；慢提拉槽在75度左右；熱烘處理溫度70度左右。生產(chǎn)中會(huì)根據(jù)實(shí)際清洗狀況作調(diào)整。

工藝質(zhì)量評(píng)價(jià)：

洗出后產(chǎn)品表面潔凈無顆粒而且完全干燥。如果清洗不完全，需要調(diào)整清洗機(jī)的清洗條件，或者返工處理。

清洗過程中需要監(jiān)控清洗劑槽的PH值，限制在一定的范圍內(nèi)，否則會(huì)對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量有嚴(yán)重的影響。

熔化工部

      熔化工部主要包含塔式熔化爐、保溫爐，除氣機(jī)等配套設(shè)施。目前鋁金合熔化爐主要采用熔化電爐和“塔式熔化爐 電加熱保溫爐”兩種熔化方式，熔化電爐使用成本較高。目前國(guó)內(nèi)鋁金合燃?xì)馑綘t主要采用外資品牌，如東大三建、正英集團(tuán)、史杰克西等。我公司采用“塔式熔化爐 電加熱保溫爐”的形式，塔式熔化爐集中布置，與壓鑄區(qū)局部隔離布置。燃?xì)馑綘t集中熔化，電加熱保溫爐布置于壓鑄機(jī)旁實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)。爐前配備除氣裝置，除氣設(shè)備選用某國(guó)產(chǎn)某品牌，確保金屬液質(zhì)量的穩(wěn)定可靠?？紤]爐前操作人員的安全環(huán)保和職業(yè)健康，塔式熔化爐配備抽風(fēng)除塵系統(tǒng)和燃?xì)庑孤﹫?bào)警裝置。熔化工部工藝流程為：配料→ 加料→熔煉→ 出鋁→除氣檢測(cè)→轉(zhuǎn)運(yùn)→保溫。

技術(shù)特征：

1.單工位旋轉(zhuǎn)噴淋清洗機(jī)，包括主體、主體中間的固定機(jī)構(gòu)和主體底端的拆卸機(jī)構(gòu)，其特征在于：所述固定機(jī)構(gòu)包括固定柱(13)，所述主體的頂端設(shè)置有頂殼(1)，所述頂殼(1)的中間設(shè)置有操作門(7)，所述固定柱(13)位于操作門(7)的內(nèi)側(cè)兩端，所述操作門(7)的一側(cè)對(duì)應(yīng)于固定柱(13)的位置處設(shè)置有連接螺栓(14)，所述連接螺栓(14)的一側(cè)中間對(duì)應(yīng)于固定柱(13)的內(nèi)部設(shè)置有齒輪(15)，所述頂殼(1)的內(nèi)部?jī)蓚?cè)對(duì)應(yīng)于固定柱(13)的位置處設(shè)置有固定桿(3)，所述固定柱(13)的內(nèi)部?jī)蓚?cè)對(duì)應(yīng)于齒輪(15)的位置處設(shè)置有齒槽(16)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單工位旋轉(zhuǎn)噴淋清洗機(jī)，其特征在于：所述拆卸機(jī)構(gòu)包括限位板(21)，所述主體的底端中間設(shè)置有底座(6)，所述限位板(21)位于底座(6)的中間表面，所述底座(6)的一側(cè)中間設(shè)置有連接座(20)，所述限位板(21)的一側(cè)中間設(shè)置有限位螺栓(22)，所述底座(6)的內(nèi)部一側(cè)對(duì)應(yīng)于限位螺栓(22)的位置處開設(shè)有螺紋孔(17)，所述底座(6)的兩側(cè)對(duì)應(yīng)于限位板(21)的位置處設(shè)置有限位滑槽(18)，所述限位滑槽(18)的一側(cè)對(duì)應(yīng)于底座(6)的位置處設(shè)置有帽檐(19)。

單工位旋轉(zhuǎn)噴淋清洗機(jī)，其特征在于：所述限位滑槽(18)的橫截面為矩形，且限位滑槽(18)的寬度與限位板(21)的寬度一致。

此方法適用于除去氧化膜或有機(jī)物。因?yàn)榛瘜W(xué)物質(zhì)在硅片表面停留的時(shí)間比較短，對(duì)反應(yīng)需要一定時(shí)間的清洗效果不好。在噴洗過程中所使用的化學(xué)試劑很少，對(duì)控制成本及環(huán)境保護(hù)有利。

隨著集成電路制程工藝節(jié)點(diǎn)越來越先進(jìn)，對(duì)實(shí)際制造的幾個(gè)環(huán)節(jié)也提出了新要求，清洗環(huán)節(jié)的重要性日益凸顯。

清洗的關(guān)鍵性則是由于隨著特征尺寸的不斷縮小，半導(dǎo)體對(duì)雜質(zhì)含量越來越敏感，而半導(dǎo)體制造中不可避免會(huì)引入一些顆粒、有機(jī)物、金屬和氧化物等污染物。為了減少雜質(zhì)對(duì)芯片良率的影響，實(shí)際生產(chǎn)中不僅僅需要提高單次的清洗效率，還需要在幾乎所有制程前后都頻繁的進(jìn)行清洗，清洗步驟約占整體步驟的33%。