晶振的負(fù)載電容

晶振有一個(gè)重要的參數(shù)，那就是負(fù)載電容值，選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。

一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端，每個(gè)電容的另一端再接到地，這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請(qǐng)注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個(gè)不能忽略。

一般的晶振的負(fù)載電容為15p或12.5p ，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個(gè)22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。負(fù)載電容 等效輸入電容=22pF。

選擇晶體振蕩器的要素

1、外觀檢測(cè)。通過(guò)檢查外觀看產(chǎn)品外觀標(biāo)記文字是否清晰規(guī)范、外觀表面是否存在裂痕、引腳上是否已經(jīng)焊過(guò)錫。如果從外表上發(fā)現(xiàn)了產(chǎn)品不完善，就不應(yīng)拿來(lái)使用。

2、頻率?？蛻舾鶕?jù)產(chǎn)品需求來(lái)選擇適合的頻率，頻率較為重要，不能隨便替換頻率。一定要經(jīng)過(guò)合格驗(yàn)證或者測(cè)試通過(guò)的情況下，再進(jìn)行協(xié)商。如果實(shí)際電路要求的頻率是4.43MHZ，在沒有貨源的情況下，切勿隨便更換差不多的頻率來(lái)使用。

3、晶體振蕩器輸出模式。在選用晶體振蕩器時(shí)，要考慮到電路需要的晶體振蕩器輸出類型，一般分電平輸出和差分輸出；電平輸出：CMOS是常用的一種輸出類型，而差分輸出：LVPECL，LVDS常用差分輸出類型。不同的輸出類型之間可不隨便變換，特別是差分跟普通晶體振蕩器。

4、型號(hào)。應(yīng)用晶體振蕩器要看清外殼的型號(hào)標(biāo)記，型號(hào)表明了晶體振蕩器的多項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)，根據(jù)客戶的產(chǎn)品需求來(lái)對(duì)應(yīng)產(chǎn)品參數(shù)，而找出我們的型號(hào)。再把詳細(xì)的參數(shù)規(guī)格書發(fā)給客戶確認(rèn)，才能正常出貨。如果晶體振蕩器型號(hào)選擇不當(dāng)，將導(dǎo)致應(yīng)用錯(cuò)誤。

5、晶體振蕩器的代換原則。一個(gè)晶體振蕩器如果損壞了，原則上應(yīng)選用原型號(hào)晶振代換。在沒有原型號(hào)時(shí)，經(jīng)過(guò)測(cè)試后，可以考慮用其他型號(hào)或其他類型的晶體振蕩器來(lái)代換。

晶體振蕩器在當(dāng)今社會(huì)的應(yīng)用

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石英晶體振蕩器的主要參數(shù)

晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱頻率，負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等。不同的晶振標(biāo)稱頻率不同，標(biāo)稱頻率大都標(biāo)明在晶振外殼上。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。頻率精度和頻率穩(wěn)定度：由于普通晶振的性能基本都能達(dá)到一般電器的要求，對(duì)于設(shè)備還需要有一定的頻率精度和頻率穩(wěn)定度，頻率精度從10（-4）量級(jí)到10（-10）量級(jí)不等，頻率穩(wěn)定度±1到±100PPm不等。