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在金屬內(nèi)部和半導(dǎo)體導(dǎo)帶相對應(yīng)的分能級上，電子密度小于半導(dǎo)體導(dǎo)帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會從半導(dǎo)體向金屬擴散，從而使金屬帶上負(fù)電荷，半導(dǎo)體帶正電荷。由于金屬是理想的導(dǎo)體，負(fù)電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內(nèi)。而對于N型半導(dǎo)體來說，失去電子的施主雜質(zhì)原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。

接下來我們將一起看一下ASEMI肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管、快恢復(fù)二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關(guān)二極管的性能比較。

在頻率上，肖特基二極管大于超快恢復(fù)二極管大于快恢復(fù)二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關(guān)二極管；

在電流范圍上，肖特基二極管大于超快恢復(fù)二極管大于快恢復(fù)二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關(guān)二極管；

在耐壓限制范圍上，肖特基二極管小于超快恢復(fù)二極管小于快恢復(fù)二極管小于硅高頻整流二極管小于硅高速開關(guān)二極管；

由表可見，硅高速開關(guān)二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。

　　【ASEMI講解肖特基二極管的命名】

　　肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，

　　完整的叫法是：肖特基整流二極管（Schottky Rectifier Diode 縮寫成SR），

　　也有人叫做：肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode 縮寫成SBD）的簡稱。

　　肖特基：Schottky

　　整流：Rectifier

　　SR:即為肖特基整流二極管

　　Schottky Rectifier Diode:肖特基整二極管，簡稱：SR,比如：SR107,SR10100CT……

　　勢壘：Barrier

　　SB:即為肖特基勢壘二極管

　　肖特基二極管也稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），國內(nèi)廠家也有叫做"SB1045CT、SR10100、SL…、BL…

要想了解MUR2060CT與MUR2060CTR有何不同，首先要從二極管的原理定義開始說起。

二極管與快恢復(fù)二極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理

二極管作為最常用的整流元器件，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理基礎(chǔ)就是只允許單方向電流通過并且進行整流，將交流電變?yōu)橹绷麟姟６诳旎謴?fù)二極管MUR2060CT和MUR2060CTR封裝內(nèi)部含有二個二極管，其橋式整流結(jié)構(gòu)也是由這兩個二極管組成的。