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LED知識(shí)產(chǎn)權(quán)危機(jī)迫在眉睫
我國(guó)LED發(fā)明和上游比重小
我國(guó)LED主要集中于中下游領(lǐng)域,中游封裝、下游應(yīng)用環(huán)節(jié)的占申請(qǐng)總量的64%。在關(guān)系到產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié),仍缺乏核心。
從全球LED的演變進(jìn)程看,我國(guó)LED的申請(qǐng)進(jìn)程落后于日本、美國(guó),錯(cuò)過(guò)了階段的技術(shù)前期研發(fā)階段和第2個(gè)階段的技術(shù)培育孵化階段,而直接進(jìn)入了技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用階段。其所產(chǎn)生的影響是我國(guó)LED發(fā)展的不均衡。從類(lèi)型上看,我國(guó)LED以實(shí)用新型及外觀設(shè)計(jì)為主,發(fā)明型占比較低,其中國(guó)內(nèi)LED實(shí)用型占比為59%,外觀設(shè)計(jì)占比為15%,而LED發(fā)明占比僅為26%。
我國(guó)LED主要集中于中下游領(lǐng)域,中游封裝、下游應(yīng)用環(huán)節(jié)的占申請(qǐng)總量的64%。其中LED應(yīng)用申請(qǐng)量,約占總量的43%,LED封裝占比約21%,外延及芯片占比分別為18%和17%,襯底占比約1%。外延方面,國(guó)內(nèi)的阱以及緩沖層技術(shù)與國(guó)外存在量與質(zhì)的差距。芯片方面,國(guó)內(nèi)的芯片外形技術(shù)、表面粗糙化技術(shù)和襯底剝離與鍵合技術(shù)欠缺。封裝方面,我國(guó)技術(shù)發(fā)展迅速,但基座材料和熒光材料與國(guó)外存在差距。特別是在關(guān)系到產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié),我國(guó)仍缺乏核心,如藍(lán)光LED激發(fā)熒光粉發(fā)白光技術(shù)、圖形襯底技術(shù)、LED芯片垂直結(jié)構(gòu)技術(shù)、倒裝封裝技術(shù)以及脈沖寬度調(diào)制(PMW)電源驅(qū)動(dòng)技術(shù)等。
樹(shù)脂發(fā)光字的10種優(yōu)勢(shì)樹(shù)脂發(fā)光字它具有的10種優(yōu)勢(shì):顏色優(yōu)勢(shì):樹(shù)脂發(fā)光字顏色豐盛,通過(guò)色槳任意調(diào)色超細(xì):通過(guò)精密的電路設(shè)計(jì)使字體筆畫(huà)小寬度可至6mm質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì):樹(shù)脂發(fā)光字是常溫固化,成型后不會(huì)發(fā)作任何改變超?。禾赜型腹鈩蚬鈱涌梢栽谛≈?0mm間隔內(nèi)的抵達(dá)勻光效果環(huán)保:全防腐材料運(yùn)用,無(wú)有害氣體蒸騰,不產(chǎn)生光污染和化學(xué)物污染均勻:
LED精工發(fā)光字做法一般適合做小巧的工藝字,首先通過(guò)激光切割出金屬板材激光切割金屬邊緣光滑刺,再通過(guò)激光焊接機(jī)進(jìn)行無(wú)縫焊接。一米以內(nèi)的字均可使用精工做法,其中個(gè)細(xì)筆畫(huà)可以做到只有0.8mm。LED精品發(fā)光字做法金屬邊均開(kāi)槽處理,因此再精細(xì)的筆畫(huà)角度也能自然彎曲。材料選擇LED精工發(fā)光字與非精工做法材料是一樣的,不一樣的是切割的工具。非精工要求相對(duì)不高,因此普通等離子切割機(jī)可以滿足工藝要求。
根據(jù)不同顏色和大小的文字,來(lái)設(shè)計(jì)出的LED發(fā)光字,在城市亮化的中更能凸顯其優(yōu)勢(shì),令人過(guò)目不忘。
LED發(fā)光字歸根結(jié)底來(lái)說(shuō),是要根據(jù)使用者商品的產(chǎn)品中某些特點(diǎn)來(lái)設(shè)計(jì)的,不單要給予觀看者共鳴,以吸引關(guān)注為目的,而且還要達(dá)到廣告效應(yīng),深刻的引入人們的腦海中,并讓觀看者牢牢記住。