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發(fā)布時間:2021-06-20 08:15  






鍍膜工藝流程中工藝參數(shù)的控制和對膜層沉積的影響:

靶基距:靶基距是影響成膜速率的重要因素之一,隨著靶基距增加,被濺射材料射向基片時與氣體分子碰撞的次數(shù)增多,同時等離子體密度也減弱,動能減少,沉積速率降低,但膜層外觀較好。靶基距太小,沉積太快,工件溫升大,膜層外觀差

輝光清洗:對工件施加負(fù)偏壓,產(chǎn)生輝光放電,利用ya離子轟擊工件表面,這種輝光放電清洗作用比較柔和,一般采取由弱到強(qiáng)的轟擊清洗順序,是怕工件太臟時一開始就強(qiáng)轟擊,可能產(chǎn)生強(qiáng)烈的打火而損傷工件。


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真空鍍膜的形式:蒸發(fā)鍍膜

工藝原理:

1)在真空室中,膜料被加熱變成蒸發(fā)原子,蒸發(fā)原子在真空條件下不與殘余氣

體分子碰撞而到達(dá)工件表面;

2)蒸發(fā)原子與基材碰撞后一部分被反射,另一部分被吸附;

3)吸附原子在基材表面發(fā)生表面擴(kuò)散。


有機(jī)鍍膜與無機(jī)鍍膜的根本區(qū)別

真正的玻璃鍍膜應(yīng)為純無機(jī)質(zhì)成分,成膜后不應(yīng)含有任何j基團(tuán)(CH3)。利用紅外線光譜吸收分析法,可以了解各種鍍膜原料的內(nèi)部化學(xué)成分,這是區(qū)別真假無機(jī)質(zhì)鍍膜產(chǎn)品的重要科學(xué)依據(jù)。



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