●對(duì)于偏小磁芯變壓器的設(shè)計(jì):主要有磁芯Ae面積偏小的問(wèn)題,將會(huì)帶來(lái)初級(jí)圈數(shù)偏多的現(xiàn)象??梢赃m當(dāng)提高工作頻率,本案例工作頻率在70KHz-75KHz。由于圈數(shù)偏多初次級(jí)的耦合將會(huì)更有利。所以VCC繞組電壓在短路瞬間會(huì)上沖到比較高的狀態(tài),本案例原理圖上有可控硅做過(guò)壓保護(hù)功能。而后因?yàn)榇渭?jí)繞組的短路耦合到VCC繞組使其電壓降低到IC不能啟動(dòng)這個(gè)過(guò)程是可以實(shí)現(xiàn)的。●要做到以上特性:VCC繞組線徑必須要小,我個(gè)人一般取0.17mm以下,小于0.12會(huì)很容易斷。這樣小的線徑談不上節(jié)約銅材,但是可以利用銅線的阻抗來(lái)代替很多設(shè)計(jì)人員習(xí)慣在VCC整流二極管上串聯(lián)小阻值電阻的功能,而且這個(gè)利用線圈本身的阻抗對(duì)交流的抑制能力在本案例當(dāng)中更有效,可以防止瞬間沖擊而損壞后級(jí)電路的功效。
?!癯跫?jí)與次級(jí)主繞組必須是近相鄰的繞組,這樣耦合會(huì)更有利?!耖_(kāi)關(guān)電源在MOSFET-D端點(diǎn)工作時(shí)候產(chǎn)生的干擾是(也是RCD吸收端與變壓器相連的端點(diǎn)),在變壓器繞制時(shí)建議將他繞在變壓器的個(gè)繞組,并作為起點(diǎn)端,讓他藏在變壓器里層,這樣后面繞組銅線的屏蔽是有較好抑制干擾效果的?!馰CC繞組在計(jì)算其圈數(shù)時(shí)盡量的在IC工作電壓乘以1.1倍作為誤差值,不用考慮銅線的壓降,因?yàn)閱?dòng)前電流是非常小的,所以這個(gè)電阻并沒(méi)有多少影響,幾乎可以忽略不計(jì)。
●Q3是作為保護(hù)的指示燈驅(qū)動(dòng)電路?!襁@個(gè)電路在實(shí)際應(yīng)用中需要做到對(duì)供電的VCC在正負(fù)電壓從開(kāi)機(jī)到啟動(dòng)正常這段過(guò)程的,否則開(kāi)機(jī)時(shí)就有保護(hù)信號(hào),導(dǎo)致無(wú)法正常開(kāi)機(jī)。如果需要可以用輸出保護(hù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)一個(gè)由三極管構(gòu)成的可控硅電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。具有正負(fù)雙輸出電壓保護(hù)的功放電源PCB應(yīng)用實(shí)例八:用LM358實(shí)現(xiàn)LED輸出端限流穩(wěn)壓PWM調(diào)光控制●此例應(yīng)用是將PWM信號(hào)直接加在電流采樣信號(hào)上,通過(guò)調(diào)節(jié)PWM的寬度來(lái)調(diào)制過(guò)電流保護(hù)信號(hào)的時(shí)間,而起到調(diào)節(jié)限制電流的功能的?!裥枰⒁獾氖虑槭荘WM需要倒相輸入,就是說(shuō)占空比越小的時(shí)候LED上施加的電流越大。占空比越大時(shí)LED電流越小。
35.傳導(dǎo)整改,分段處理經(jīng)驗(yàn),如下圖,這只是處理的一種方法,有些情況并不是能直接套用 36.輻射整改,分段處理經(jīng)驗(yàn),如下圖,適合一些新手工程師,提供一個(gè)參考的方向,有些情況并不是能直接套用,的還是要搞清楚EMI產(chǎn)生的機(jī)理。 37.關(guān)于PCB碰到的問(wèn)題,如圖,為什么99SE畫板覆銅填充的時(shí)候填不滿這個(gè)位置?像是有死銅一樣D1這個(gè)元件有個(gè)文字描述的屬性放在了頂層銅箔,如圖 把它放到頂層絲印后,解決。38.變壓器銅箔屏蔽主要針對(duì)傳導(dǎo),線屏蔽主要針對(duì)輻射,當(dāng)傳導(dǎo)非常好的時(shí)候,有可能你的輻射會(huì)差,這個(gè)時(shí)候把變壓器的銅箔屏蔽改成線屏蔽,盡量壓低30M下降的位置,這樣整改輻射會(huì)快很多。 EMI整改技巧之一 39.測(cè)試輻射的時(shí)候,多帶點(diǎn)不同品牌的MOS、肖特基。