國(guó)內(nèi)外研究人員一直致力于開(kāi)發(fā)取代電鍍的表面防護(hù)技術(shù)的研究,物理氣相沉積(PVD)技術(shù)作為一種環(huán)境友好技術(shù),具有很多其他技術(shù)所不具備的特點(diǎn),通過(guò)控制其工藝參數(shù)可以得到晶粒細(xì)小、厚度均勻、膜基結(jié)合力優(yōu)異的鍍層;同時(shí)由于PVD是一種干法鍍技術(shù),可以避免濕法鍍時(shí)酸性或堿性電解質(zhì)溶液殘留在磁體孔隙內(nèi)和電鍍過(guò)程中磁體吸氫而導(dǎo)致鍍層脆裂的缺點(diǎn)。然而，PVD表面處理受批量生產(chǎn)成本和某些因素的限制,現(xiàn)在并沒(méi)有大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用。然而，PVD表面處理受批量生產(chǎn)成本和某些因素的限制,現(xiàn)在并沒(méi)有大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用。

未來(lái)發(fā)展策略

1、目前實(shí)體經(jīng)濟(jì)走勢(shì)整體疲弱，復(fù)蘇充滿不確定性，經(jīng)濟(jì)處于繼續(xù)探底過(guò)程，真空鍍膜設(shè)備制造企業(yè)應(yīng)著力進(jìn)行產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級(jí)，重質(zhì)量、重服務(wù)明確市場(chǎng)定位，大力研發(fā)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新產(chǎn)品新工藝，提高產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)水平。

2、依托信息化發(fā)展趨勢(shì)，堅(jiān)持“以信息化帶動(dòng)工業(yè)化，以工業(yè)化促進(jìn)信息化”，走出一條科技含量高、經(jīng)濟(jì)效益好、資源消耗低、環(huán)境污染少、人力資源優(yōu)勢(shì)得到充分發(fā)揮的新型工業(yè)化路子。

3、依托政府支持，大力加強(qiáng)與擁有行業(yè)先進(jìn)技術(shù)和工藝水平的科研院所、大型企業(yè)、高校合作，使得新品能迅速推向市場(chǎng)。

真空鍍膜技術(shù)及設(shè)備擁有十分廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展前景。未來(lái)真空鍍膜設(shè)備行業(yè)等制造業(yè)將以信息化融合為，依靠技術(shù)進(jìn)步，更加注重技術(shù)能力積累，制造偏向服務(wù)型，向世界真空鍍膜設(shè)備行業(yè)等制造業(yè)價(jià)值鏈挺進(jìn)。

蒸發(fā)式真空鍍膜機(jī)的工作原理：通過(guò)加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱為蒸發(fā)鍍膜。這種方法早由M.法拉第于1857年提出，現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之知一。 蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統(tǒng)抽至高真空后，加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子道以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米。從膜系附著方式可以分為直接鍍膜式、間接鍍膜式或間接鍍膜剪貼式。膜厚決定于蒸發(fā)專源的蒸發(fā)速率和時(shí)間（或決定于裝料量），并與源和基片的距離有關(guān)。對(duì)于大面積鍍膜，常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的屬距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。蒸氣分子平均動(dòng)能約為0.1～0.2電子伏。簡(jiǎn)言之，蒸發(fā)式真空鍍膜機(jī)的工作原理就是真空室內(nèi)利用電阻加熱法，把緊緊貼在電阻絲上面的金屬絲熔融汽化，汽化了的金屬分子沉積于基片上，而獲得光滑反射率的膜層，達(dá)到裝飾美化物品表面的目的。