電子束蒸發(fā)鍍膜

利用高速電子束加熱使材料汽化蒸發(fā)，在基片表面凝結(jié)成膜的技術(shù)。電子束熱源的能量密度可達(dá)104-109w/cm2，可達(dá)到3000℃以上，可蒸發(fā)高熔點(diǎn)的金屬或介電材料如鎢、鉬、鍺、SiO2、AL2O3等。

電子束加熱的蒸鍍?cè)从兄睒屝碗娮訕尯蚭型電子槍兩種(也有環(huán)行)，電子束自源發(fā)出，用磁場(chǎng)線圈使電子束聚焦和偏轉(zhuǎn)，對(duì)膜料進(jìn)行轟擊和加熱。

其中熱陰極電子槍蒸發(fā)離子鍍，利用銅坩堝加熱融化被鍍金屬材料，利用鉭燈絲給工件加熱、除氣，利用電子槍增強(qiáng)離化率，不但可以得到厚度 3~5μm的TiN 涂層，而且其結(jié)合力、耐磨性均有不俗表現(xiàn)，甚至用打磨的方法都難以除去。因?yàn)樵阱兡み^(guò)程中，真空系統(tǒng)必需要工作穩(wěn)定，爐體保壓要好，如果在鍍膜過(guò)程中有雜氣摻入，顏色就會(huì)不理想，嚴(yán)重的還會(huì)脫鈦。但是這些設(shè)備都只適合于 TiN涂層，或純金屬薄膜。對(duì)于多元涂層或復(fù)合涂層，則力不從心，難以適應(yīng)高硬度材料高速切 削以及模具應(yīng)用多樣性的要求。

基片置于合適的位置是獲得均勻薄膜的前提條件.

b、壓強(qiáng)的大小. 為了保證膜層質(zhì)量,壓強(qiáng)應(yīng)盡可能低Pr≦(Pa)

L表示蒸發(fā)源到基片的距離為L(zhǎng)(cm)。

c、蒸發(fā)速率.蒸發(fā)速率小時(shí),沉積的膜料原子(或分子)上立刻吸附氣體分子,因而形成的膜層結(jié)構(gòu)疏松,顆粒粗大,缺陷多;反之,膜層結(jié)構(gòu)均勻致密,機(jī)械強(qiáng)度高,膜層內(nèi)應(yīng)力大.

d、基片的溫度.在通常情況下,基片溫度高時(shí),吸附原子的動(dòng)能隨之增大,形成的薄膜容易結(jié)晶化,并使晶格缺陷減少;基片溫度低時(shí),則沒(méi)有足夠大的能量供給吸附原子,因而容易形成無(wú)定形態(tài)薄膜.