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真空鍍膜之磁控濺射鍍膜 ：磁控濺射的基本原理就是以磁場改變電子運動方向， 束縛和延長電子的運動軌跡， 從而提高了電子對工作氣體的電離幾率和有效地利用了電子的能量。因此在形成高密度等離子體的異常輝光放電中正離子對靶材轟擊所引起的靶材濺射更加有效，同時受正交電磁場的束縛的電子只能在其能量將要耗盡時才能沉積在基片上。這就是磁控濺射具有 “低溫”、“高速”兩大特點的機理。電子束蒸發(fā)源蒸鍍法將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結在基板表面成膜，是真空蒸發(fā)鍍膜技術中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。

鍍膜工藝流程中工藝參數(shù)的控制和對膜層沉積的影響： 

基體溫度：鍍膜時基體溫度直接影響膜層的結構、致密性和附著力，溫度可用T/Tm值來確定，如；通過鍍膜可以改變基片的某些屬性，如光學性能、電學性能、機械性能、化學性能、裝飾性能等。靶材為鈦，其熔點為1670℃，基體溫度應該選擇TI/TM=0.15-0.25即 250-417℃才能得到理想的晶粒組織?？紤]到沉積粒子受負偏壓作用加速轟擊工件還會引起溫升，基體可選在250-300℃

真空鍍膜的形式：蒸發(fā)鍍膜

工藝原理：

1）在真空室中，膜料被加熱變成蒸發(fā)原子，蒸發(fā)原子在真空條件下不與殘余氣

體分子碰撞而到達工件表面；

2）蒸發(fā)原子與基材碰撞后一部分被反射，另一部分被吸附；

3）吸附原子在基材表面發(fā)生表面擴散。

常見的濺射有兩種：不反應濺射和反應濺射。不反應濺射指濺射氣體和鍍膜材料之間不發(fā)生化學反應。因此不反應濺射所使用的氣體為惰性氣體，一般使用y氣（Ar），稱為工作氣體。不反應濺射一般都用在鍍金屬膜層上，導電性能越好的材料，濺射速率越高。