四氟化碳亦稱全氟化碳、四氟甲1烷、全氟化碳，為非腐蝕性氣體，所有通用材料如鋼、不銹鋼、銅、青銅，鋁等金屬材料都可以使用。四氟化碳是一種造成溫室效應(yīng)的氣體。它非常穩(wěn)定，可以長時間停留在大氣層中，是一種非常強大的溫室氣體。四氟化碳一般認為是惰性低毒物質(zhì)，在高濃度下是窒息劑，其毒性不及四氯1化碳。四氯化1碳與氟化1氫的反應(yīng)在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行。

四氟化碳的密度比較高，可以填滿地面空間范圍，在不通風的地方會導致窒息。四氟化碳成品應(yīng)存放在陰涼，干燥，通風的庫房內(nèi)，嚴禁曝曬，遠離熱源。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。

對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳在不同的大氣壓下呈現(xiàn)的狀態(tài)是不同的，就像氧氣在101kPa時會呈現(xiàn)出液態(tài)。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體，發(fā)揮性較高.預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中，向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。

隨著芯片制程向7納米邁進，細微雜質(zhì)對芯片的損害更為明顯，電子產(chǎn)業(yè)對高純電子氣體的純度要求進一步提高，在此背景下，我國高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項：氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶內(nèi)的氣體不能全部用盡，應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國人工智能、物聯(lián)網(wǎng)市場仍在不斷擴大，光伏發(fā)電累計裝機容量不斷上升，預(yù)計2020-2025年，我國高純四氟化碳市場需求將繼續(xù)以10.0%以上的增速增長。