EGRJ鄂動(dòng)機(jī)電高壓固態(tài)起動(dòng)器高壓回路是由起動(dòng)真空接觸器KM2,傍路真空接觸器KM1, 電壓互感器PT1PT2PT3,電流互感器TA1TA2,晶閘管組件及其RC保護(hù)、電阻均壓、過(guò)壓保護(hù)等輔助電路組成。軟起動(dòng)器所用元器件及內(nèi)部板件經(jīng)過(guò)特殊處理，全部采用阻燃的絕緣材料，可以適應(yīng)各種高灰塵、高腐蝕、高鹽霧、振動(dòng)的工礦下。其中晶閘管組件的導(dǎo)通與關(guān)斷是由多路光纖輸入信號(hào)通過(guò)數(shù)字觸發(fā)板控制,同時(shí)又通過(guò)另外一組多路光纖將晶閘管組件工作壯態(tài)信號(hào)輸出到控制系統(tǒng)用于監(jiān)控。測(cè)量回路是由四路電壓輸入信號(hào),三路電流輸入信號(hào),一路紅外線測(cè)溫信號(hào)組成。

湖北鄂動(dòng)EGRJ高壓固態(tài)一次回路電流通過(guò)高壓開(kāi)關(guān)QF1到軟起動(dòng)器上,當(dāng)按下起動(dòng)器起動(dòng)按鍵時(shí)，真空開(kāi)關(guān)KM2閉合，同時(shí)電流變換器開(kāi)始向脈沖數(shù)字觸發(fā)板充電儲(chǔ)能,幾秒后光纖輸出觸發(fā)信號(hào)使大功率晶閘管串并聯(lián)組件開(kāi)始工作，通過(guò)改變晶閘管觸發(fā)移相角,使晶閘管輸出電壓發(fā)生變化.然后起動(dòng)器輸出的相電壓并按設(shè)定曲線增加。高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜柜內(nèi)包括網(wǎng)側(cè)接觸器、旁路接觸器、晶閘管軟起動(dòng)器、系統(tǒng)電源等，自成系統(tǒng)，方便操作人員使用。

固態(tài)軟啟動(dòng)器低壓測(cè)試步驟 鄂動(dòng)機(jī)電

u  確認(rèn)在電器部件上沒(méi)有任何電壓。

u  檢查所有的導(dǎo)線是否連接良好。

u  連接輸入電源(三相AC380V)到軟起動(dòng)裝置的輸入接線端子(R、S、T)。

u  將主控板上的三相同步插頭拔掉，插上低壓同步測(cè)試線，線的另一端接至主回路進(jìn)線端R、S、T（在接線的時(shí)候應(yīng)注意，主回路R與主板的Va相對(duì)應(yīng)，S與主板的Vb相對(duì)應(yīng)，T與主板的Vc相對(duì)應(yīng)）。

u  將AC220V電源接在外控端子的U1、N1上。

u  將低壓測(cè)試負(fù)載接在CMV軟起動(dòng)裝置的U、V、W端。

u  關(guān)閉裝置內(nèi)部的欠壓保護(hù)功能(參見(jiàn)裝置內(nèi)部接線圖)。

u  檢查所有的連線正確后，將柜內(nèi)QF斷路器閉合。

u  關(guān)閉柜門(mén)，準(zhǔn)備進(jìn)行低壓測(cè)試。

u  接通AC380V電源，通過(guò)操作裝置面板上的起動(dòng)、停止按鈕，觀察負(fù)載起動(dòng)是否正常。

u  測(cè)試完畢后將接線拆除，準(zhǔn)備進(jìn)行高壓測(cè)試。

                                               高壓固態(tài)軟啟動(dòng)使用晶閘管質(zhì)量咋樣

 高壓固態(tài)軟啟動(dòng)器雙向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可 以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成   當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào)，BG2便有基流ib2流過(guò)，經(jīng)BG2放大，其集電 極電流ic2=β2ib2?？刂乒δ埽篴)采用現(xiàn)代先進(jìn)的數(shù)字信號(hào)處理和系統(tǒng)集成技術(shù)，性能卓越、可靠性及穩(wěn)定性高。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅 使飽和導(dǎo)通。 由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號(hào)只起 觸發(fā)作用，沒(méi)有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。  由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開(kāi)關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化 2,觸發(fā)導(dǎo)通  在控制極G上加入正向電壓時(shí)因J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔玫幕A(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致圖3的伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。