光纖磁控濺射鍍膜機組成

以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助。

設備用途：

在光纖表面鍍制納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。配有陽極層離子源進行清洗和輔助沉積，同時設備具有反濺射清洗功能，以提高膜的質量和牢固度。樣品臺可鍍制多種型號光纖產品

系統(tǒng)主要由真空室、磁控靶、單基片加熱臺、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、電控系統(tǒng)及安裝機臺等部分組成。

小型磁控濺射儀的優(yōu)勢

設備主要優(yōu)勢    

實用性：設備集成度高，結構緊湊，占地面積小，可以滿足客戶實驗室空間不足的苛刻條件；通過更換設備上下法蘭可以實現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉換，實現(xiàn)一機多用；

方便性：設備需要拆卸的部分均采用即插即用的方式，接線及安裝調試簡單，既保證了設備使用方便又保證了設備的整潔；

高性價比：設備主要零部件采用進口或國內品牌，以國產設備的價格擁有進口設備的配置，從而保證了設備的質量及性能；

安全性：獨立開發(fā)的PLC 觸摸屏智能操作系統(tǒng)在傳統(tǒng)操作系統(tǒng)的基礎上新具備了漏氣自檢與提示、通訊故障自檢、保養(yǎng)維護提示等功能，保證了設備的使用安全性能；

期望大家在選購磁控濺射產品時多一份細心，少一份浮躁，不要錯過細節(jié)疑問。想要了解更多磁控濺射產品的相關資訊，歡迎撥打圖片上的熱線電話?。?！

磁控濺射的種類介紹

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加了碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對較高。輝光區(qū)發(fā)射出電子、離子、中性原子、光子等，這些組成等離子體（宇宙99%以上的組成物質為等離子體）輝光和基體之間電壓降很小。

但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面，基片區(qū)域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域，從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片，增加基片磁控濺射區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率。不管平衡還是非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定了一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉磁場。但旋轉磁場需要旋轉機構，同時濺射速率要減小。旋轉磁場多用于大型或貴重靶，如半導體膜濺射。并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點－島狀結構-迷走結構-層狀生長）形成薄膜。對于小型設備和一般工業(yè)設備，多用磁場靜止靶源。

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磁控濺射鍍膜機的工作原理是什么？

磁控濺射原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與原子發(fā)生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內，該區(qū)域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與原子發(fā)生碰撞電離出大量的離子轟擊靶材，經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用（ E X B drift）使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運動。至于靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀。離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關系。在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在次原理下工作。所不同的是電場方向，電壓電流大小而已

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