2.2.2偏壓濺射biassputtering：在濺射過程中，將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。

   2.2.3直流二級(jí)濺射directcurrenodesputtering：通過二個(gè)電極間的直流電壓，使氣體自持放電并把靶作為陰極的濺射。

   2.2.4非對(duì)稱流濺射asymmtricalternatecurrentsputtering：通過二個(gè)電極間的非對(duì)稱流電壓，使氣體自持放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極。

   2.2.5高頻二極濺射highfrequencydiodesputtering：通過二個(gè)電極間的高頻電壓獲得高頻放電而使靶極獲得負(fù)電位的濺射。

   2.2.6熱陰極直流濺射（三極型濺射）hotcathodedirectcurrentsputtering：借助于熱陰極和陽(yáng)極獲得非自持氣體放電，氣體放電所產(chǎn)生的離子，由在陽(yáng)極和陰極（靶）之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射。

?真空鍍膜加工五金鍍膜價(jià)格

　真空鍍膜加工已有200年的歷史。在19世紀(jì)可以說一直是處于探索和預(yù)研階段。探索者的艱辛在此期間得到充分體現(xiàn)。1805年, 開始研究接觸角與表面能的關(guān)系(Young)。1817年, 透鏡上形成減反射膜(Fraunhofer)。1839年, 開始研究電弧蒸發(fā)(Hare)。開始研究真空濺射鍍膜(Grove；Pulker)。1857年, 在氮?dú)庵姓舭l(fā)金屬絲形成薄膜(Faraday；Conn)。 1874年, 報(bào)道制成等離子體聚合物(Dewilde；Thenard)。1877年,薄膜的真空濺射沉積研究成功(Wright)。1880年, 碳?xì)浠衔餁庀酂峤?Sawyer；Mann)。1887年, 薄膜的真空蒸發(fā)(坩堝) (Nahrwold；Pohl；Pringsheim)。開始研制形成減反射膜的化學(xué)工藝。研究成功四氯化鎢的氫還原法(CVD)； 膜厚的光學(xué)干涉測(cè)量法(Wiener)。

真空鍍膜加工與電鍍?nèi)莾苫厥聝?。真空鍍膜加工是把物體放入真空室里，在真空狀態(tài)下把所要鍍的金屬加熱蒸發(fā)，然后被鍍物體在里面轉(zhuǎn)動(dòng)把金屬顆粒吸附在被鍍物體表面，鍍后為了不使金屬顆粒氧化在表面再噴透明面油從而增加結(jié)合力和隔離空氣。一般來說真空鍍膜加工不能鍍的材料是那些表面柔軟易變形的材料，還有就是不易干燥的材料。電鍍一般是ABS塑料才可以處理成導(dǎo)電體再電鍍。

真空鍍膜加工使用過程中需要使用水嗎？會(huì)產(chǎn)生什么廢氣

真空鍍膜加工腔體里面是不允許有水的，否則就抽不了真空，不過鍍膜機(jī)是需要有冷卻水循環(huán)冷卻，至于廢氣還是要分抽真空鍍膜腔體內(nèi)的空氣，還是指抽高真空后真空腔體內(nèi)溢出的水蒸氣和油氣分子。