真空鍍膜機工藝在光學儀器中的運用大家了解的光學儀器有望遠鏡、顯微鏡、照相機、測距儀，以及平時生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等，它們都離不開鍍膜技能，鍍制的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。

鍍膜機工藝在集成電路制造中的運用，鍍膜機晶體管路中的保護層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、銅及其合金）等多是選用CVD技能、PVCD技能、真空蒸騰金屬技能、磁控濺射技能和射頻濺射技能。可見氣相堆積術制備集成電路的核心技能之一。

鍍膜設備價格PCVD技術具有沉積溫度低，沉積速率快，繞鍍性好，薄膜與基體結合強度好，設備操縱維護簡單等優(yōu)點，用PCVD法調節(jié)工藝參數方便靈活，輕易調整和控制薄膜厚度和成份組成結構，沉積出多層復合膜及多層梯度復合膜等膜，同時，PCVD法還拓展了新的低溫沉積領域，例如，用PCVD法可將TiN的反應溫度由CVD法的1000℃降到200～500℃，用PCVD法制備納米陶瓷薄膜的特點是：產品的楊氏模量、抗壓強度和硬度都很高，耐磨性好，化學性能穩(wěn)定，性和腐蝕性好，有較高的高溫強度。

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PCVD工藝具有廣泛的用途。

（1）超硬膜的應用（TiN、TiC、TiCN、（TiAl）N、C-BN等）PCVD法宜于在外形復雜、面積大的工件上獲得超硬膜，沉積速率可達4～10μm/h，硬度大于2000HV，繞鍍性好，工件不需旋轉就可得到均勻的鍍層。大量應用于切削刀具、磨具和耐磨零件。

（2）半導體元件上盡緣膜的形成過往半導體元件上的盡緣膜大多用SiO2，現在用SiN4 H2用PCVD法來形成Si3N4，Si3N4的盡緣性、性、耐酸性、耐堿性，比SiO2強，從電性能及其摻雜效率來講都是的，特別是當前的高速元件GaAs盡緣膜的形成，高溫處理是不可能的，只能在低溫下用等離子法進行沉積。

物理氣相沉積（PVD）工藝已經有100多年的歷史了，等離子輔助PVD大約在80年前就申請了專利。術語“物理氣相沉積”僅在60年代出現。當時，需要通過發(fā)展眾所周知的技術來發(fā)展真空鍍膜工藝，例如濺射，真空，等離子體技術，磁場，氣體化學，熱蒸發(fā)，弓形和電源控制，如Powell的書中詳細描述的。在過去的30年中，等離子輔助PVD（PAPVD）被分為幾種不同的電源技術，例如直流（DC）二極管，三極管，射頻（RF），脈沖等離子體，離子束輔助涂層等。，該過程在基本理解上存在一些困難，因此引入了必要的更改以提供好處，例如從涂層到基材的出色附著力，結構控制以及低溫下的材料沉積。