該裝置由汽化爐、分解爐、重合室這3個(gè)部分組成，在重合室中放置對(duì)象物品，在汽化爐中放置Parylene (粉體)。

       在裝置內(nèi)進(jìn)行減壓操作后，升高汽化爐的溫度（120~180℃），使Parylene升華。 通過真空泵將該氣體引導(dǎo)至蒸汽粘合室，通過高溫（650~700℃）分解爐后，生成熱分解單體。該單體在室溫狀態(tài)下的重合室內(nèi)與對(duì)象物品相接觸，其含有的熱量被傳導(dǎo)后在對(duì)象物品的表面進(jìn)行聚合，形成高分子量的聚對(duì)二樹脂膜。

1、派瑞林真空鍍膜設(shè)備有效應(yīng)用于磁性材料領(lǐng)域，派瑞林的制備工藝和優(yōu)異性能相結(jié)合，使它能對(duì)小型超小型磁材進(jìn)行無薄弱點(diǎn)全涂敷的磁材可浸鹽酸10天以上不腐蝕，目前國(guó)際上小型或者超小型磁材，幾乎都采用派瑞林鍍膜工藝作絕緣和防護(hù)涂層。

2、派瑞林真空鍍膜設(shè)備有效應(yīng)用于印制電路組件和元器件領(lǐng)域，鍍膜材料通過派瑞林真空鍍膜設(shè)備使得活性的對(duì)二雙游離基小分子氣在印制電路組件表面沉積聚合完成。氣態(tài)的小分子能滲透到包括貼裝件下面任何一個(gè)細(xì)小縫隙的基材上沉積，形成分子量約50萬(wàn)的高純聚合物。

3、派瑞林真空鍍膜設(shè)備有效應(yīng)用于微電子集成電路領(lǐng)域，派瑞林的真空氣相沉積工藝不僅和微電子集成電路制作工藝相似，而且所制備的派瑞林涂層介電常數(shù)也低，還能用微電子加工工藝進(jìn)行刻蝕制圖，進(jìn)行再金屬化，因此派瑞林（Parylene）不僅可用作防護(hù)材料，而且也能作為結(jié)構(gòu)層中的介電材料和掩膜材料使用，經(jīng)派瑞林（Parylene）涂敷過的集成電路芯片，其25um細(xì)直徑連接線，連接強(qiáng)度可提高5-10倍。

       派瑞林涂層薄膜的止回閥。微閥具有扭曲型的派瑞林涂層膜, 當(dāng)有流體順流時(shí), 派瑞林涂層薄膜抬起, 允許流體通過; 當(dāng)有流體逆時(shí),派瑞林涂層薄膜封住了通道阻止其流動(dòng)。該結(jié)構(gòu)的微閥順流沖破壓力小于0. 5 kPa, 逆流的制止壓力達(dá)600 kPa以上, 同時(shí)具有較低的反向泄漏, 性能非常好。由于派瑞林涂層較小的楊氏模量, 產(chǎn)生了較大的變形, 基本可以忽略由薄膜引起的流體阻抗。單通道常閉微止回閥, 整個(gè)微閥和微通道都是由派瑞林涂層 C制成的, 其結(jié)構(gòu)為在圓形閥座上的一個(gè)圓形的密封板。密封板是固定在子腔薄膜的頂部中心, 由于大氣壓強(qiáng)使子腔壓縮到底部, 從而獲得微閥的閉合模式。這種新型的子腔結(jié)構(gòu)是通過沒有層結(jié)構(gòu)的釋放和在真空條件下派瑞林涂層薄膜的氣相沉積來實(shí)現(xiàn)的。通過減小密封板和閥座的重疊面積和濺射金屬金來減小靜摩擦力, 從而減小順流沖破壓力。此種結(jié)構(gòu)的微閥的順流沖破壓力為20～40 kPa, 在逆流壓力為270 kPa也不會(huì)出現(xiàn)可見的泄露現(xiàn)象。