被動式解決方案（無源PFC電路）

實力是一種責任！銘瑪電子向您提供更安全，更環(huán)保，更好的led電源裸板加工，電源板等產(chǎn)品。

方案是用于直接使用高壓整流方式來供電的產(chǎn)物。僅僅由一個低頻扼流圈構成，插入整流橋和濾波電容之間。

其工作原理非常簡樸：低頻扼流圈的電感L和整流電容C以及低頻扼流圈的分布電容共同組成一個低頻諧波電流濾波器。

電路參數(shù)計劃成對50HZ基波身分衰減很小，對三次以上諧波成分衰減很大，尤其是三次諧波（150HZ）的衰減比力大。

低頻諧波電流克制濾波器在電源整流之后大概之前某些點插入電流回路，就可以起到抑制諧波電流的目標。

可以辦理300W以下產(chǎn)品的諧波電流題目，而且不必要電路別的參數(shù)作任何改變，也不會低落原電源電路的其它性能。

其缺點是體積較大，重量約100-200克。

東莞市銘瑪電子電器有限公司擁有12年研發(fā)生產(chǎn)led電源裸板加工產(chǎn)品經(jīng)驗，歡迎各界朋友蒞臨參觀，指導和業(yè)務洽談談，我們攜手發(fā)展，共創(chuàng)輝煌！

ESD電路的干擾有二種方式

銘瑪電子是一家生產(chǎn)led電源裸板加工，電源模塊廠家，我們擁有完整，科學的質量管理體系。

一種是傳導方式，若電路的某部分構成了放電路徑，即ESD接侵入裝備內的電路，ESD電流流過IC的輸入端，造成干擾。

ESD干擾的另一種方式是輻射干擾，即靜電放電時產(chǎn)生了尖峰電流，這種電流中包羅有豐富的高頻因素。從而產(chǎn)生輻射磁場和電場。當隔斷較近時，無論是電場還是磁場都是很強的。ESD發(fā)生時，在附近位置的電路一樣平常會受到影響。

ESD在近場，輻射耦合的根本方式可以是電容或電感方式，取決于ESD源和吸取的阻抗，在遠場，則存在電磁場耦合。

與ESD干系的電磁干擾（EMI）能量上限頻率可以高出1GHZ。在這個頻率上，范例的裝備電纜以致印制板上的走線會變成非常有效的吸收天線。因而，對于典范的模擬或數(shù)字電子設備，ESD會感應出高平的噪聲。

東莞市銘瑪電子電器有限公司是一家集設計，開發(fā)，生產(chǎn)，銷售服務為一體的技術型企業(yè)，擁有12年研發(fā)led電源裸板加工經(jīng)驗。堅持以質量求發(fā)展，以客戶為中心，與您建立共贏合作關系。

電子產(chǎn)品的靜電放電測試及相關要求

銘瑪電子led電源裸板加工是一家設計開發(fā)生產(chǎn)于一體的專業(yè)高科技生產(chǎn)廠家

實驗實行：

實行部位：直接放電施加于利用職員正常使用受試裝備時大概打仗到的點或面上；間接放電施加于水平耦合板和垂直耦合板。

直接放電模擬了操縱職員對受試裝備直接打仗時發(fā)生的靜電放電情況。間接放電則是程度耦合板和垂直耦合板舉行放電，模仿了操作人員對放置于或安裝在受試設備附近的物體放電時的環(huán)境。

直接放電時，接觸放電為首情勢；只有在不能用接觸放電的地方（如外貌涂有絕緣層，盤算機鍵盤縫隙等情況）才改用氣隙（氛圍）放電。

間接放電：選用接觸放電方式。試驗電壓要由低到高徐徐增長到規(guī)定率。

差異的產(chǎn)物或產(chǎn)物族標準對試驗的實施大概根據(jù)產(chǎn)品的特點有規(guī)定的規(guī)定。

實行結果：若靜電放電測試通不外，可能產(chǎn)生如下效果：

1.直接通過能量交換引起半導體器件的粉碎。

2.放電所引起的電場與磁場厘革，造成設備的誤動作。

東莞市銘瑪電子電器有限公司擁有多年的研發(fā)生產(chǎn)led電源裸板加工經(jīng)驗，不斷創(chuàng)新，開拓新市場。我們堅持以人為本，以質取勝，誠信守信，共同發(fā)展的經(jīng)營理念。

電子產(chǎn)品的浪涌（雷擊）損壞機理

銘瑪電子歷經(jīng)多年的不懈努力，以積累多年生產(chǎn)led電源裸板加工的經(jīng)驗，上成的品質，雄厚的技術，完善的科學管理為用戶提供高品質的產(chǎn)品。

雷擊電子裝備的途徑可分為兩種環(huán)境：

一種是高能雷電打擊波通過戶外傳輸線路，設備間的毗連線以及電力線侵入設備，使串接在線路中心或終端的電子設備遭到侵害。

第二種是雷擊大地或接地導體，引起局部剎時地電位上升，波及附近的電子設備，對設備產(chǎn)生沖擊，損害其對地絕緣。

一樣尋常浪涌脈沖的上升時間較長，脈寬較寬，不含有較高的頻率身分，多通過傳導方式進入設備內部。

縱向（共模）沖擊對設備均衡電路元部件的影響有：

破壞跨界在線與地間的元部件或其絕緣介質；擊穿在線路和設備間起阻抗匹配作用的變壓器匝間，層間或線對地絕緣等。

橫向？（差模）沖擊則同樣可在電路中傳輸，損壞內部電路的電容，電感及耐沖擊本領差的半導體器件。

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