脈沖激光沉積機(jī)制

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售脈沖激光沉積，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

PLD的系統(tǒng)設(shè)備簡(jiǎn)單，相反，它的原理卻是非常復(fù)雜的物理現(xiàn)象。脈沖激光沉積的優(yōu)點(diǎn)想了解更多關(guān)于脈沖激光沉積的相關(guān)資訊，請(qǐng)持續(xù)關(guān)注本公司。它涉及高能量脈沖輻射沖擊固體靶時(shí)，激光與物質(zhì)之間的所有物理相互作用，亦包括等離子羽狀物的形成，其后已熔化的物質(zhì)通過(guò)等離子羽狀物到達(dá)已加熱的基片表面的轉(zhuǎn)移，及膜的生成過(guò)程。所以，PLD一般可以分為以下四個(gè)階段：

1. 激光輻射與靶的相互作用

2. 熔化物質(zhì)的動(dòng)態(tài)

3. 熔化物質(zhì)在基片的沉積

4. 薄膜在基片表面的成核（nucleation）與生成。

脈沖激光沉積系統(tǒng)配置介紹

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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：

生長(zhǎng)室，進(jìn)樣室可選水平、垂直兩種靶臺(tái)可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺(tái)可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED，工作氣壓可達(dá)100Pa可預(yù)留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可選項(xiàng)如臭氧發(fā)生器，離子源，掩膜系統(tǒng)等。激光脈沖能做到特別短，譬如“皮秒”級(jí)別，就是說(shuō)脈沖的時(shí)間為皮秒這個(gè)數(shù)量級(jí)——而1皮秒等于一萬(wàn)億分之一秒。

脈沖激光沉積選件介紹

激光分子束外延(Laser MBE )

激光MBE 是普遍采用的術(shù)語(yǔ)，該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測(cè)的反射高能電子衍射（RHEED）的聯(lián)合應(yīng)用，用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長(zhǎng)的單分子水平控制。

正確的設(shè)計(jì)是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)

RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）環(huán)境下使用。然而，因?yàn)樵谀承┨厥馇闆r下，PLD 采用較高的壓力，差動(dòng)抽氣是必要的，

維持RHEED 槍的工作壓力，同時(shí)保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時(shí)，設(shè)計(jì)完整的系統(tǒng)消除磁場(chǎng)對(duì)電子束的影響是至關(guān)重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達(dá)到500 mTorr 時(shí)所需的單分子層控制。

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