電光調(diào)制器的設(shè)計與選擇

調(diào)制晶體對電光調(diào)制的效果影響顯著，在選擇晶體時應(yīng)注意以下幾點：光學(xué)性能好，折射率均勻，吸收色散損耗小，透明度高，電光系數(shù)大，物理性能優(yōu)越等等。目前較常用的晶體材料包括鈮酸鋰和KDP類晶體，由于KDP類晶體的物理性能不佳，容易發(fā)生潮解，因此其調(diào)制性能往往受到環(huán)境限制，而鈮酸鋰晶體則具有優(yōu)越的透光性和物理性能，是電光調(diào)制晶體設(shè)計的理想材料。電光調(diào)制器有良好的特性，可用于光纖有線電視（CATV）系統(tǒng)、無線通信系統(tǒng)中繼站與中繼站之間的光鏈路和其他的光纖模擬系統(tǒng)。

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電光調(diào)制器系列

850nm電光強度調(diào)制器KG-AM系列850nm鈮酸鋰電光強度調(diào)制器采用先進的質(zhì)子交換工藝，具有低插入損耗、高調(diào)制帶寬、低半波電壓等特點，主要用于空間光通信系統(tǒng)、銫原子時間基準、脈沖發(fā)生器等領(lǐng)域。

1064nm雙M-Z串聯(lián)強度調(diào)制器     

LiNbO3強度調(diào)制器具有良好的電光效應(yīng)，廣泛應(yīng)用于高速光通信系統(tǒng)、激光傳感和ROF系統(tǒng)中。基于MZ推拉結(jié)構(gòu)和X切設(shè)計的KG-AM系列具有穩(wěn)定的理化性能，可應(yīng)用于實驗室實驗和工業(yè)系統(tǒng)。

高消光比電光強度調(diào)制器

KG-AM-HER系列高消光比電光強度調(diào)制器基于M-Z推挽結(jié)構(gòu)，具有較低的半波電壓和穩(wěn)定的物理化學(xué)特性，采用特定工藝保證了器件具有高的DC消光比，且器件具有較高的響應(yīng)速率，因而被廣泛的應(yīng)用于光脈沖發(fā)生器、激光雷達、光纖傳感等領(lǐng)域。

電光調(diào)制器的應(yīng)用

電光調(diào)制器有良好的特性，可用于光纖有線電視(CATV)系統(tǒng)、無線通信系統(tǒng)中基1站與中繼之間的光鏈路和其他的光纖模擬系統(tǒng)。

電光調(diào)制器有很多用途。相位調(diào)制器可用于相干光纖通信系統(tǒng)，在密集波分復(fù)用光纖系統(tǒng)中用于產(chǎn)生多光頻的梳形發(fā)生器，也能用作激光束的電光移頻器。

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