光刻膠

北京賽米萊德貿(mào)易有限公司供應美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，此款負膠的設計適用于比較寬的波長范圍和i線（366納米）曝光工具。當顯影后NR9-3000PY顯示出負的側(cè)壁角度，是lift-off工藝中比較簡易的光刻膠。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。和其他膠相比NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢：

北京賽米萊德貿(mào)易有限公司供應美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢： 1. 比較高的光刻速度，可以定制光刻速度來曝光產(chǎn)量 2. 比較高的分辨率和快的顯影時間 3. 根據(jù)曝光能量可以比較容易的調(diào)整側(cè)壁角度 4. 耐溫可以達到100攝氏度 5. 用RR5去膠液可以很容易的去膠 NR9-3000PY的制作和工藝是根據(jù)職業(yè)和環(huán)境的安全而設計。北京賽米萊德貿(mào)易有限公司供應美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，此款負膠的設計適用于比較寬的波長范圍和i線（366納米）曝光工具。

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光刻工藝主要性一

光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復雜等特征，還需要相應光刻機與之配對調(diào)試。一般情況下，一個芯片在制造過程中需要進行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。預計2017和2018年全球半導體用光刻膠市場將分別達到15。

針對不同應用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調(diào)整光刻膠的配方來實現(xiàn)。因此，通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商核心的技術。

此外，由于光刻加工分辨率直接關系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應。光刻分辨率與曝光波長、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關。

NR9-3000PYNR94 8000PY光刻膠公司

二、預烘和底膠涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）

由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進行的。

底膠涂覆增強光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉(zhuǎn)涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。