線列式磁控生產(chǎn)線

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采用先進的in-line產(chǎn)線結(jié)構(gòu)，Twin-Mag孿生陰極磁控濺射技術(shù)，并配以全自動控制系統(tǒng)、先進的真空系統(tǒng)，可在玻璃襯底上鍍制SiO2、ITO、AZO、Al、Ni、Ti等各類絕緣介質(zhì)薄膜、金屬或合金薄膜，并可連續(xù)濺鍍多種不同材質(zhì)的薄膜構(gòu)成復合多膜層結(jié)構(gòu)，適合大規(guī)模光學、電學薄膜的生產(chǎn)，做到一機多用具有高能效、高可靠性、低成本的優(yōu)勢?？刂葡到y(tǒng)：硬件：PLC和計算機觸摸屏控制自動和手動沉積控制主要特點：射頻電源：基底預(yù)先清洗和等離子體輔助沉積溫度控制器：基底加熱大面積基底傳送裝置冷卻系統(tǒng)。

     本產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于觸摸屏ITO鍍膜、LCD顯示屏ITO鍍膜、薄膜太陽能電池背電極及AZO鍍膜、彩色濾光片鍍膜、電磁屏蔽玻璃鍍膜、AR鍍膜、裝飾鍍膜等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

磁控濺射的種類介紹

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加了碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對較高。在實際情況下，氣場穩(wěn)定，需要設(shè)計布氣系統(tǒng)，將布氣系統(tǒng)分級布置，保障鍍膜機腔體內(nèi)不同位置的進氣量相同，同時，布氣系統(tǒng)、靶材、基材等要遠離鍍膜機的抽氣口。

但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面，基片區(qū)域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術(shù)，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域，從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片，增加基片磁控濺射區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率。不管平衡還是非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定了一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉(zhuǎn)磁場。但旋轉(zhuǎn)磁場需要旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，同時濺射速率要減小。旋轉(zhuǎn)磁場多用于大型或貴重靶，如半導體膜濺射。磁控濺射介紹以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司為您提供，今天我們來分享磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)內(nèi)容，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助。對于小型設(shè)備和一般工業(yè)設(shè)備，多用磁場靜止靶源。

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磁控濺射介紹

以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司為您提供，今天我們來分享磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)內(nèi)容，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助！

用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點火和濺射很方便。這是因為靶（陰極），等離子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體（如陶瓷），則回路斷了。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強的電容，這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時接地技術(shù)很復雜，因而難大規(guī)模采用。為解決此問題，發(fā)明了磁控反應(yīng)濺射。就是用金屬靶，加入氣和反應(yīng)氣體如氮氣或氧氣。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強的電容，這樣在絕緣回路中靶材成了一個電容。當金屬靶材撞向零件時由于能量轉(zhuǎn)化，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。