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發(fā)布時間:2020-12-03 08:12  









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編輯:DD

ASEMI工程師講解雪崩問題解決方案


在IAS下不會燒毀的維持時間:td=EAS/(VRRM×IAS)=1000mJ/(200V×100A)=5μs。也就是說,SBD在出現(xiàn)雪崩之后IAS=100A時,可保證在5μs之內(nèi)不會損壞器件。EAS是檢驗肖特基勢壘可靠性的重要參量200V/100A的SBD在48V輸出的通信SMPS中可替代等額定值的FRED,使整流部分的損耗降低10%~15%。由于SBD的超快軟恢復(fù)特性及其雪崩能量,提高了系統(tǒng)工作頻率和可靠性,EMI也得到顯著的改善。

MURF1060CT 強(qiáng)元芯ASEMI核芯動力 快恢復(fù)實力彰顯!

采用了臺灣健鼎的一體化測試設(shè)備,減少人工操作環(huán)節(jié),同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數(shù)經(jīng)過6道檢測。更是打破業(yè)界測試標(biāo)準(zhǔn),將漏電流有5uA加嚴(yán)到2uA以內(nèi);正向壓降Vf由1.0V加嚴(yán)到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內(nèi)。其采用俄羅斯進(jìn)口晶圓Mikron米克朗芯片,具有高抗沖擊能力,電性能穩(wěn)定,可信賴度佳。


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