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ASEMI肖特基二極管參數(shù)的研發(fā)拓展：

ASEMI研制的MBR60100PT  MBR60150PT  MBR60200PT，是專門為在輸出12V~24V的SMPS中替代高頻整流FRED而設計的。像額定電流為2×8A的大電流高頻率型SBD，起始電壓比業(yè)界居先進水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值為0.47V)，導通電阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值為40mΩ)，導通損耗低0.18W(典型值為1.14W)。

ASEMI整流肖特基二極管快資訊！

SiC高壓SBD

由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(2.2eV~3.2eV)，臨界擊穿電場高(2V/cm~4×106V/cm)，飽合速度快(2×107cm/s)，熱導率高為4.9W/(cm·K)，抗化學腐蝕性強，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關速度SBD的比較理想的新型材料。

肖特基二極管屬于低功耗、大電流、超高速半導體器件，其反向恢復時間可小到幾納秒，正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安。

　　肖特基二極管與PN結二極管在構造原理上有一定區(qū)別。這種管子的缺點是反向耐壓較低，一般不超過100V，適宜在低電壓、大電流的條件下工作。液晶彩電DC-DC變換器中的二極管一般采用的就是肖特基二極管。

　　需要說明的是，很多肖特基二極管和快恢復二極管有三只引腳，外形酷似晶體管。其實，這是一種內含兩個肖特基二極管的復合二極管，其中一只腳為公共正極，另兩只腳分別為兩只二極管的負極，可用萬用表方便地進行判斷，