電池片的檢驗(yàn)

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)電池，太陽(yáng)能組件，太陽(yáng)能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，El，欠佳檢測(cè)，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無(wú)界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。 

電池片的檢測(cè) 

一、檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)

1．高于800LX的直射下，間距電池片30-50cm的間距，看著方位垂直平分電池片表層觀查。 

二、檢測(cè)的方式 1、取放電池片時(shí)要輕拿小心輕放，125的電池片維持在1-2的檢驗(yàn)速率，150及156的電池片要一整片一整片的開(kāi)展查驗(yàn)。 

三、檢驗(yàn)新項(xiàng)目1．色調(diào)偏色2．絨面色素斑3．亮斑4．裂痕、裂縫及破孔5．彎折的6．崩邊、豁口、掉角7．印刷偏位8．TTV9．鋁珠、鋁苞10．包裝印刷圖型11．跑模12．尺寸

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

STF 印制：

A 級(jí)：

標(biāo)識(shí)要有虛印、粗印現(xiàn)象（字母線寬度應(yīng)小于 0.22mm   ）但仍可辨識(shí)時(shí)作為 A 級(jí)。若標(biāo)識(shí)存在缺印但仍可辨識(shí)時(shí)，按字母高度的 1/3 判定，缺失長(zhǎng)度小于字母高度 1/3 。

B 級(jí)：

標(biāo)識(shí)要有虛印、粗印現(xiàn)象，字母線寬度應(yīng)小于 0.22mm   ，但仍可辨識(shí)時(shí)，如實(shí)心“ P ”，若標(biāo)識(shí)存在缺印但仍可辨識(shí)時(shí)，按字母高度的

1/3 判定，缺失長(zhǎng)度小于字母高度 1/3 。

C 級(jí)：

若字母變形或無(wú)法辨識(shí)時(shí)直接降為 C 級(jí)。

新的標(biāo)準(zhǔn)與舊的相同

缺陷片：

1．   主柵線或副柵線或背電極或背電場(chǎng)超出 c 級(jí)降級(jí)片的要求時(shí)，但仍有利用價(jià)值的片子。

2．   由于存儲(chǔ)不當(dāng)造成成電極氧化時(shí)，直接以報(bào)廢片處理

3．   僅印刷烘干而沒(méi)有經(jīng)過(guò)燒結(jié)的電池片，如果還有利用價(jià)值，則租鋪位缺陷片處理

4．   完全未印制背電場(chǎng)的電池片作缺陷片處理。

5．   疊片仍有利用價(jià)值的作為缺陷片，如果全疊片則作為報(bào)廢片處理。

電池片生產(chǎn)工藝流程

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)光伏電池，銀漿布，單晶硅，光伏電池，太陽(yáng)能電池板，太陽(yáng)能組件，太陽(yáng)能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，El，欠佳檢測(cè)，二手，舊工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，聚酰薄膜，無(wú)界限結(jié)晶硅，光伏電池，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。 電池片生產(chǎn)流程 一 、 制絨 a. 目地 在硅單晶的表面產(chǎn)生坑凹狀表面，降低電池片的反射的自然光，提升二次反射的總面積。 一般狀況下，用堿解決是以便獲得金字塔狀磨砂皮；用酸處理是以便獲得蟲(chóng)孔狀磨砂皮。無(wú)論是哪樣磨砂皮，都能夠提升硅單晶的陷光功效。 b.步驟 1. 基本標(biāo)準(zhǔn)下，硅與單純性的HF、HNO 3 （硅表面會(huì)被鈍化處理，二氧化硅與HNO 3 不反映）覺(jué)得不是反映的。但在二種混和酸的管理體系中，硅則能夠與水溶液開(kāi)展不斷的反映 。 硅的氧化 氰化鈉/亞硝酸（HNO 2 ）將硅氧化成二氧化硅（關(guān)鍵是亞硝酸將硅氧化） Si 4HNO 3 =SiO 2 4NO 2 2H 2 O (慢反映 3Si 4HNO 3 =3Si