美國Futurrex的光刻膠

北京賽米萊德貿易有限公司供應美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，此款負膠的設計適用于比較寬的波長范圍和i線（366納米）曝光工具。當顯影后顯示出負的側壁角度，是lift-off工藝中比較簡易的光刻膠。和其他膠相比NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢： 1. 比較高的光刻速度，可以定制光刻速度來曝光產量 2. 比較高的分辨率和快的顯影時間 3. 根據(jù)曝光能量可以比較容易的調整側壁角度 4. 耐溫可以達到100攝氏度 5. 用RR5去膠液可以很容易的去膠 NR9-3000PY的制作和工藝是根據(jù)職業(yè)和環(huán)境的安全而設計。1Futurre光刻膠黏附性好，無需使用增粘劑（HMDS）1。主要的溶劑是，NR9-3000PY的顯影在水溶液里完成。屬固含量（%）：31-35 主要溶劑： 外觀： 淺液體涂敷能：均勻的無條紋涂敷 100攝氏度熱板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度 40秒自旋。

正負光刻膠

正負光刻膠

光刻膠分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的，故此叫正膠，利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠! 正性光刻膠比負性的精度要高，負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響孔。同種厚度的正負膠，在對于抗?jié)穹ê透g性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。因此，通過調整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商最核心的技術。賽米萊德提供美國Futurrex的光刻膠的供應與技術參數(shù)。

光刻膠：用化學反應進行圖像轉移的媒介

光刻膠具有光化學敏感性，其經過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設計好的微細圖形從掩膜版轉移到待加工基片。

光刻膠和集成電路制造產業(yè)鏈的前端的即為光刻膠專用化學品，生產而得的不同類型的光刻膠被應用于消費電子、家用電器、信息通訊、汽車電子、航空航天等在內的各個下游終端領域，需求較為分散。

光刻膠基于應用領域不同一般可以分為半導體集成電路（IC）光刻膠、 PCB光刻膠以及LCD光刻膠三個大類。其中， PCB光刻膠占全球市場24.5%，半導體IC光刻膠占全球市場24.1%，LCD光刻膠占全球市場26.6%。