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發(fā)布時(shí)間:2020-10-31 07:21  






光刻膠介紹

光刻膠介紹

光刻膠是一種對光線、溫度、濕度十分敏感的材料,可以在光照后發(fā)生化學(xué)性質(zhì)的改變,這是整個(gè)工藝的基礎(chǔ)。

光刻膠有不同的類型,PMMAPMGI)以及DNQ(酚醛樹脂)等材料都可以做光刻膠。

 目前光刻膠市場上的參與者多是來自于美國、日本、韓國等國家,包括 FUTURREX、陶氏化學(xué)、杜邦、富士膠片、信越化學(xué)、住友化學(xué)、LG化學(xué)等等,中國公司在光刻膠領(lǐng)域也缺少核心技術(shù)。

 


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三、光刻膠涂覆(Photoresist Coating)

光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前,先在900-1100度濕氧化。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。作為光刻工藝自身的首先過程,一薄層的對紫外光敏感的有機(jī)高分子化合物,即通常所說的光刻膠,要涂在樣品表面(SiO2)。LCD是非主動發(fā)光器件,其色彩顯示必須由本身的背光系統(tǒng)或外部的環(huán)境光提供光源,通過驅(qū)動器與控制器形成灰階顯示,再利用彩色濾光片產(chǎn)生紅、綠、藍(lán)三基色,依據(jù)混色原理形成彩色顯示畫面。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機(jī)中的樣品表面,(由真空負(fù)壓將樣品固定在樣品臺上),樣品然后高速旋轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下,膠在離心力的作用下向邊緣流動。

涂膠工序是圖形轉(zhuǎn)換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質(zhì)量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復(fù)性和接下去的顯影時(shí)間,同一個(gè)樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應(yīng)超過±5nm(對于1.5um膠厚為±0.3%)。

光刻膠的目標(biāo)厚度的確定主要考慮膠自身的化學(xué)特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細(xì)程度。太厚膠會導(dǎo)致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間,而對于特殊微結(jié)構(gòu)制造,膠厚度有時(shí)希望1cm量級。光刻膠國內(nèi)的研發(fā)起步較晚光刻膠的研發(fā),關(guān)鍵在于其成分復(fù)雜、工藝技術(shù)難以掌握。在后者,旋轉(zhuǎn)涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等,這些因素的穩(wěn)定性很重要。

在工藝發(fā)展的早期,負(fù)膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位,隨著VLSI IC和2~5微米圖形尺寸的出現(xiàn),負(fù)膠已不能滿足要求。隨后出現(xiàn)了正膠,但正膠的缺點(diǎn)是粘結(jié)能力差。

用正膠需要改變掩膜版的極性,這并不是簡單的圖形翻轉(zhuǎn)。因?yàn)橛醚谀ぐ婧蛢煞N不同光刻膠結(jié)合,在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的,由于光在圖形周圍的衍射效應(yīng),使得用負(fù)膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。因?yàn)橛醚谀ぐ婧蛢煞N不同光刻膠結(jié)合,在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的,由于光在圖形周圍的衍射效應(yīng),使得用負(fù)膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。用正膠和暗場掩膜版組合會使光刻膠層上的圖形尺寸變大。


?Futurrex

提供先進(jìn)化學(xué)技術(shù)的多樣化解決方案

成立于1985年,總部設(shè)在美國新澤西州,富蘭克林市,高速成長并超過20年連續(xù)盈利的跨國公司

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領(lǐng)的技術(shù)提升生產(chǎn)過程中的整體性價(jià)比

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支持所有客戶的需要,與客戶共創(chuàng)成功


光刻膠

光刻膠由光引發(fā)劑、樹脂、溶劑等基礎(chǔ)組分組成,又被稱為光致抗蝕劑,這是一種對光非常敏感的化合物。此外,光刻膠中還會添加光增感劑、光致產(chǎn)酸劑等成分來達(dá)到提高光引發(fā)效率、優(yōu)化線路圖形精密度的目的。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質(zhì)層,例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。在受到紫外光曝光后,它在顯影液中的溶解度會發(fā)生變化。

分類

根據(jù)光刻膠按照如何響應(yīng)紫外光的特性可以分為兩類。

正膠

曝光前對顯影液不可溶,而曝光后變成了可溶的,能得到與掩模板遮光區(qū)相同的圖形。

優(yōu)點(diǎn):分辨率高、對比度好。

缺點(diǎn):粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。

靈敏度:曝光區(qū)域光刻膠完全溶解時(shí)所需的能量

負(fù)膠egative






Photo Resist)

與正膠反之。

優(yōu)點(diǎn): 良好的粘附能力和抗刻蝕能力、感光速度快。

缺點(diǎn): 顯影時(shí)發(fā)生變形和膨脹,導(dǎo)致其分辨率。

靈敏度:保留曝光區(qū)域光刻膠原始厚度的50%所需的能量。


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