碳化硅是人工合成的材料，其化學(xué)計(jì)量成分以克分子計(jì)：Si 50%、C 50%，以質(zhì)量計(jì)：Si 70.04%、C 29.96%，相對分子質(zhì)量為40.09。

Si-C二元系統(tǒng)相圖，碳化硅無一致熔融點(diǎn)。在封閉系統(tǒng)中、在總壓為101kPa的條件下，碳化硅在2735℃分解成石墨和富硅熔體。

此溫度也是形成碳化硅結(jié)晶的高溫度。在開放系統(tǒng)中，碳化硅約在2300℃左右開始分解、形成氣態(tài)硅和殘余石墨。

碳化硅（SiC）功率器件的能量損耗只有硅（Si）器件的功率50%，發(fā)熱量也只有硅（Si）器件的50%；且有更高的電流密度。

碳化硅微粉是一種超硬材料，其作為磨料或填料在陶瓷精磨磨具、樹脂拋光砂輪以及金剛石拋光砂輪等方面有著廣泛的應(yīng)用。由于具有硬度高、強(qiáng)度高和耐磨性能好等優(yōu)異性能，SiC微粉在耐火材料、功能陶瓷、結(jié)構(gòu)材料等非磨削用途方面的應(yīng)用也非常廣泛。

SiC 肖特基二極管能提供近乎理想的動態(tài)性能。增加碳化硅換熱器的對數(shù)平均溫差的方法是盡可能采用逆流或近逆流的混合流動模式,以盡可能地提高熱側(cè)流體的溫度,并降低溫度。做為單子器件，它的工作過程中沒有電荷儲存，因此它的反向恢復(fù)電流僅由它的耗盡層結(jié)電容造成，其反向恢復(fù)電荷以及其反向恢復(fù)損耗比Si超快恢復(fù)二極管要低一到兩個數(shù)量級。更重要的是，和它匹配的開關(guān)管的開通損耗也可以得到大幅度減少，因此提高電路的開關(guān)頻率。

碳化硅陶瓷的原料---碳化硅微粉，其粉體形狀一般都不太規(guī)則。隨著粉體工程的日益增長和不斷進(jìn)步，碳化硅粉體的形狀根據(jù)各種陶瓷材料的應(yīng)用進(jìn)行了細(xì)致劃分，得到特定的形貌。

如何提高換熱器的換熱效率技巧

首先我們種方法：可以提高板片表面的轉(zhuǎn)熱系數(shù)，因?yàn)榘迨降膿Q熱器的波紋設(shè)計(jì)能使流體在較小的流速

下產(chǎn)生雷諾數(shù)，所以可以獲得較高的表面轉(zhuǎn)熱系數(shù)，我們可以得出表面的轉(zhuǎn)熱系數(shù)與波紋的幾何結(jié)構(gòu)的流動狀態(tài)有關(guān)。

第二：可以減少污垢層的熱阻，這個問題的關(guān)鍵就是不讓換熱器的板片結(jié)垢，因此我們要監(jiān)控板片冷熱兩側(cè)的水質(zhì)，防止

結(jié)垢，并且還要保證水當(dāng)中的雜質(zhì)覆蓋到板片上面。

第三：我們可以選用熱導(dǎo)率高的板片，板片的材質(zhì)可以選擇不銹鋼，鈦合金，銅合金，其中不銹鋼的導(dǎo)熱性能是當(dāng)中好的。