微弧氧化技術(shù)的優(yōu)勢

1．微弧氧化工藝穩(wěn)定且可靠，設(shè)備簡單，反應(yīng)在常溫下進(jìn)行，操作方便，易于掌握。

2．微弧氧化膜有良好的耐磨損性能。

3．微弧氧化膜有良好的耐熱性及抗腐蝕性。這從根本上克服了鋁、鎂、鈦合金材料在應(yīng)用中的缺點(diǎn)，因此該技術(shù)有廣闊的應(yīng)用前景。

微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化圖片、微弧氧化設(shè)備

微弧氧化電源具有單問直流、單向直流脈沖、正反向直流脈沖的多臺階自動恒流控制特點(diǎn)。脈沖幅值連續(xù)可調(diào)、脈沖占空比可調(diào)、頻率可調(diào)。介通微弧氧化電源主機(jī)界面良好、可視性強(qiáng)可自動存儲、記錄微弧氧化電流、電壓、槽液溫度等實(shí)時(shí)工藝曲線。微弧氧化電源可用于鎂合金、鋁合金、鈦合金等輕金屬的表面氧化處理，使其具有更好的耐磨性、耐腐蝕性。微弧氧化技術(shù)的突特點(diǎn)微弧氧化陶瓷技術(shù)是一種在鋁、鎂、鈦等輕金屬合金表面原位生長陶瓷層的高新技術(shù)。

微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化

微弧氧化工藝的整流電源特點(diǎn)：

操作方式:本控遠(yuǎn)控操作模式可選擇;

輸出控制方式:直流、單極脈沖或雙極脈沖輸出控制模式可選擇

恒流恒壓、恒功率三種控制模式可選擇

軟啟動時(shí)間:軟啟動工作時(shí)間可在0-2005范圍內(nèi)整定

整流方式:IGBT逆變軟開關(guān)整流,PWM脈沖步調(diào)制IGBT斬波

脈沖步調(diào)頻率范圍:1000-8000Hz;

人機(jī)操作界面:PLC彩色觸摸屏

主控制器：微弧氧化電源DSP微機(jī)數(shù)字觸發(fā)控制,PWM脈寬調(diào)節(jié)控制,脈沖移相分辨率≤1μ。

溶液溫度濃度對微弧氧化膜層性能的影響

1、微弧氧化溶液溫度低時(shí)，氧化膜的生長速度較快，膜致密，性能較佳。但溫度過低時(shí)，氧化作用較弱，膜厚和硬度值都較低。

2、微弧氧化溶液溫度過高時(shí)，堿性電解液對氧化膜的溶解作用增強(qiáng)，致使膜厚與硬度顯著下降，且溶液易飛濺，膜層也易被局部燒焦或擊穿。所謂以微弧氧化溶液的溫度一定要控制好，這樣才可以提高微弧氧化膜層的性能。

3、溶液酸堿度：酸堿度過大或過小，溶解速度都加快，氧化膜生長速度減慢，所以一般選擇弱堿性溶液。

4、溶液濃度：溶液濃度對氧化膜的成膜速率、表面顏色和粗糙度都有影響。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源