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ASEMI解析肖特基勢壘二極管工作原理：

隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向?yàn)锽→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢壘。

ASEMI整流肖特基二極管快資訊！

SiC高壓SBD

由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導(dǎo)體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(2.2eV~3.2eV)，臨界擊穿電場高(2V/cm~4×106V/cm)，飽合速度快(2×107cm/s)，熱導(dǎo)率高為4.9W/(cm·K)，抗化學(xué)腐蝕性強(qiáng)，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。

ASEMI品牌價(jià)值  底蘊(yùn)更加深厚

越來越多的開關(guān)電源客戶，都在ASEMI定購快恢復(fù)二極管。也正因?yàn)锳SEMI的品牌，在各地冒出了ASEMI的模仿者，用著低劣的產(chǎn)品坑害客戶們。

然而，只有真正的ASEMI快恢復(fù)二極管MURF2060CT品質(zhì)值得信任。ASEMI品牌產(chǎn)品MURF2060CT電性參數(shù)為20A600V,TO-220封裝，芯片采用俄羅斯進(jìn)口Mikron芯片，鐳射激光打標(biāo)；黑膠材質(zhì)為進(jìn)口環(huán)氧塑脂材料，包封穩(wěn)定性強(qiáng)，其引腳為優(yōu)質(zhì)進(jìn)口99.99％的無氧銅