純凈的SF6氣體雖然無毒，但在工作場所要防止SF6氣體的濃度上升到缺氧的水平。SF6氣體的密度大約是空氣的五倍、SF6氣體如有泄漏必將沉積于低洼處，如電纜溝中。濃度過大會出現(xiàn)使人窒息的危險，設計戶內(nèi)通風裝置時要考慮到這一情況。

　　在電弧作用下SF6的分解物如SF4，S2F2，SF2，SOF2，SO2F2，SOF4和HF等，它們都有強烈的腐蝕性和毒性。因此在電力系統(tǒng)GIS等應用SF6的工作場所，要加裝SF6氣體泄漏監(jiān)測設備。

紅外光譜技術（IAC510）

紅外光譜吸收技術(又稱激光技術）的原理是SF6作為溫室氣體，對特定波段的紅外光有很強烈的吸收特性。紅外光譜技術的特點是成本高，結構復雜，靈敏度高，不受環(huán)境的影響和干擾，對環(huán)境的溫度和濕度的變化所帶來的檢測誤差很小，由于其是采用主動抽取測試點氣體的原理，帶來的效果是發(fā)現(xiàn)泄漏早，反應迅速。同時系統(tǒng)結構對工程實施中的布線也帶來了很大的方便。面部皮膚和眼睛如果直接暴露在氫i氟酸、二氧化硫等物質(zhì)中，危害可不少。

充裝六氟化硫氣體嚴禁水分進入

（1）工作未開始之前，首先應測定現(xiàn)場周圍環(huán)境空氣相對濕度≤80％（即空氣中水蒸汽密度和同溫度下飽和水蒸汽密度比的百分值），這是限制空氣含水具體示數(shù)。測定如不合格，則應采取措施或重選干燥晴朗的天氣進行充裝。

 （2）為使SF6泄漏氣體及時排換，主尖在進行充裝的同時開啟通風機，認真遵守空氣SF6含量不得超過1000ppm的規(guī)定。在工作開始后的一定時間內(nèi)即應進行檢測，并具體情況于中途再進行檢側(cè)。當出現(xiàn)SF6氣體含量增i高或超過標準時，應隨即對部件進行詳細檢查，查找原因并予以消除。用硫化氫與無水氫氟酸電解時，以鎳作極，鐵作陰極，溫度為－10～20℃，電壓為7～20V。

高純六氟化硫的應用

 六氟化硫的使用可以增加設備運行的安全性、縮小設備體積、延長設備壽命。近幾年，國家大力發(fā)展基礎電力行業(yè)，給六氟化硫廠家?guī)砹撕艽蟮氖袌鰴C遇。

高純六氟化硫(純度在99.99%以上)，國內(nèi)需求非常旺盛，而且附加值較高。

 高純六氟化硫主要用于半導體工業(yè)中作清洗氣體。

 六氟化硫的成本只有NF3的幾分之一，近年來，各公司以廉價的SF6取代以往CVD工藝中作為清洗氣體的NF3的新技術正被廣泛研究。

 該技術在大幅降低液晶產(chǎn)品加工中占相當比例的CVD氣體成本的同時，還顯示出了極i佳的環(huán)保前景，近年來用量有明顯的提高。

 據(jù)權i威機構預測，2010年我國將成為僅次于美國的世界第二大集成電路市場，總需求量約為500億美元。目前國內(nèi)使用高純六氟化硫作為蝕刻氣的生產(chǎn)線約有50條左右預計。2016年將達到700噸左右，

 國內(nèi)使用六氟化硫作為蝕刻氣的生產(chǎn)線有近50條，在未來的五年預計將有20條至30條新線建成。每年約消耗高純六氟化硫為600噸左右。而國內(nèi)高純六氟化硫產(chǎn)品遠遠不能滿足市場需求，半導體廠家所用高純產(chǎn)品大部分依賴進口，這給高純六氟化企業(yè)提供更多的發(fā)展機遇。為了凈化粗品中的雜質(zhì)，合成后的SF6氣體還需要經(jīng)過水洗、堿洗、熱解（去除劇i毒的十氟化物）、干燥、吸附、冷凍、蒸餾提純等一系列凈化處理過程才能得到純度在99。

六氟化硫氣體泄漏檢測方法

  目前采用第二種試驗方法較為準確，其實施程序是：抽真空檢驗→SF6氣體→六氟化硫氣體泄漏檢驗。

 具體過程為：在GIS經(jīng)真空檢漏并靜止SF6氣體5h后，用塑料薄膜在法蘭接口等處包扎，再過24h后進行檢測，如果有一處薄膜內(nèi)SF6氣體的濃度大于30ppm，則該氣室漏氣率不合格。如果所有包扎薄膜內(nèi)SF6氣體的濃度均小于30ppm，則認為該氣室漏氣率合格。大家知道，目前化工行業(yè)制造六氟化硫氣體的方法主要是采用單質(zhì)硫磺與過量氣態(tài)氟直接化合反應而成。

 六氟化硫氣體泄漏在線監(jiān)控報警系統(tǒng)是檢測現(xiàn)場SF6氣體濃度、氧氣含量及溫濕度等環(huán)境數(shù)據(jù)，并通過大量數(shù)據(jù)分析處理做出控制以及告警的智能氣體報警系統(tǒng)。