電池片切開(kāi):將單晶硅棒切割成具備幾何圖形規(guī)格的薄硅片。此全過(guò)程中造成的硅粉選用水淋,造成污水和硅渣。電池片淬火:雙工裝夾具熱氧化爐經(jīng)N2吹掃后,用紅外線加 熱至300~500℃,硅片表面和co2產(chǎn)生反映,使硅片表面產(chǎn)生二氧化硅保護(hù)層厚度。

    電池片倒圓角:將淬火的硅片開(kāi)展整修成圓弧狀,避免硅片邊沿裂開(kāi)及晶格常數(shù)缺點(diǎn) 造成,提升磊晶層及光阻層的平整度。此全過(guò)程中造成的硅粉選用水淋,造成污水和硅渣. 基本建設(shè)太陽(yáng)能發(fā)電站最不可以忽略的難題就是說(shuō)擋住難題，假如房子上帶圈梁或裝上廣東太陽(yáng)能熱水器或周邊有花草樹(shù)木、電線桿等物塊，就務(wù)必繞開(kāi)這種物塊的黑影部位，這一必須考慮到物塊的全年度黑影。

光刻

    采用雙層掩模法，即在氧化硅表面蒸發(fā)上一層鉻、金，厚度分別為 50 nm 、 80 nm。因?yàn)殂t、金腐蝕時(shí)間較短，光刻膠的抗腐蝕性已足夠。這樣，用光刻膠作掩模先腐蝕鉻、金再用鉻、 金作掩模腐蝕 SiO2。 SiO2 腐蝕液配為 HF： NH4F： H20=1： 2： 3， 腐蝕時(shí)間約 10 min 。這種雙層掩模光刻法腐蝕出的 SiO2 層圖形邊緣平整、無(wú)鋸齒。最后去膠，將 SiO2 層殘留的鉻、金完全腐蝕掉。

硅腐蝕

將已定域腐蝕 SiO2 層的硅片放入已配好的硅腐蝕液中，硅腐蝕液的配方為：異丙醇：水 =1： 2： 2。在 78℃下腐蝕。由于硅的腐蝕存在各向異性，經(jīng)一定的腐蝕時(shí)間，大約 80 min 即可得到要求的 V 型槽。 另外， 為防止 V 型槽底部出現(xiàn) “小島” ， 在腐蝕過(guò)程中，需要一定的攪拌。

內(nèi)圓切割：內(nèi)圓刀片、一片一片切割、刀縫 280 350 m 、品種變換簡(jiǎn)單方便、靈活，風(fēng)險(xiǎn)低、效率低、原料損耗高、硅片體型變大、加工參數(shù)一致性差。

線切割：鋼絲切割線、整錠同時(shí)切割、線縫型變小、加工參數(shù)一致性好、風(fēng)險(xiǎn)高。180 220 m 、效率高、原料損耗小、硅片體

    硅單晶內(nèi)圓切割與多線切割的工藝過(guò)程：

內(nèi)圓切割：準(zhǔn)備工作 粘結(jié) 定向與校對(duì) 上機(jī)切割 沖洗與去膠 送清洗 。

多線切割：準(zhǔn)備工作 定向 粘結(jié) 系統(tǒng)調(diào)整 上機(jī)切割 沖洗去膠 送清洗 。