目前市場(chǎng)主流常規(guī)水平式蝕刻機(jī)，在板子雙面同時(shí)噴淋蝕刻過程中，顯然下表面蝕刻速度與蝕刻均勻性要比上表面好，上表面的板四周蝕刻速度快于中間部位。這主要由于通常的噴淋蝕刻過程中板子上表面會(huì)形成蝕刻液的“水池”，嚴(yán)重影響蝕刻均勻性與引起側(cè)蝕。

   真空蝕刻機(jī)的一組模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)設(shè)有加裝智能吸水系統(tǒng)套件，吸取板面走蝕刻液，不使蝕刻液滯留在板面。真空吸液盤固定在橋板上離基板調(diào)為的距離位置。    如0.2mm厚以下的板子精度達(dá)到 -0.01mm，相比常規(guī)蝕刻機(jī)高出一倍，產(chǎn)能相比常規(guī)蝕刻機(jī)高出三分之一，同樣也提。使用該真空技術(shù)給企業(yè)改善精工制造也帶來強(qiáng)大的核心競(jìng)爭(zhēng)力！

蝕刻注意的問題

提高整個(gè)板子表面蝕刻速率的均勻性    板子上下兩面以及板面上各個(gè)部位的蝕刻均勻性是由板子表面受到蝕刻劑流量的均勻性決定的。    蝕刻過程中，上下板面的蝕刻速率往往不一致。一般來說，下板面的蝕刻速率高于上板面。因?yàn)樯习迕嬗腥芤旱亩逊e，減弱了蝕刻反應(yīng)的進(jìn)行?？梢酝ㄟ^調(diào)整上下噴嘴的噴啉壓力來解決上下板面蝕刻不均的現(xiàn)象。蝕刻印制板的一個(gè)普遍問題是在相同時(shí)間里使全部板面都蝕刻干凈是很難做到的，板子邊緣比板子中心部位蝕刻的快。采用噴淋系統(tǒng)并使噴嘴擺動(dòng)是一個(gè)有效的措施。更進(jìn)一步的改善可以通過使板中心和板邊緣處的噴淋壓力不同，板前沿和板后端間歇蝕刻的辦法，達(dá)到整個(gè)板面的蝕刻均勻性。    提高安全處理和蝕刻薄銅箔及薄層壓板的能力    在蝕刻多層板內(nèi)層這樣的薄層壓板時(shí)，板子容易卷繞在滾輪和傳送輪上而造成廢品。所以，蝕刻內(nèi)層板的設(shè)備必須保證能平穩(wěn)的，可靠地處理薄的層壓板。許多設(shè)備制造商在蝕刻機(jī)上附加齒輪或滾輪來防止這類現(xiàn)象的發(fā)生。更好的方法是采用附加的左右搖擺的聚四氟乙烯涂包線作為薄層壓板傳送的支撐物。對(duì)于薄銅箔(例如1/2或1/4盎司)的蝕刻，必須保證不被擦傷或劃傷。薄銅箔經(jīng)不住像蝕刻1盎司銅箔時(shí)的機(jī)械上的弊端，有時(shí)較劇烈的振顫都有可能劃傷銅箔。





國(guó)內(nèi)生產(chǎn)刻蝕機(jī)水平高的企業(yè)為中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司（這家同樣是有國(guó)資背景的企業(yè)，前兩大股東也是國(guó)有企業(yè)，所以有人說我國(guó)光刻機(jī)沒發(fā)展起來是因?yàn)閲?guó)企的原因，這是不對(duì)的，中微半導(dǎo)體也可以說是國(guó)企，但是刻蝕機(jī)的技術(shù)水平是世界水平的。國(guó)內(nèi)刻蝕機(jī)的發(fā)展離不開尹志堯?yàn)榇淼膸资缓w技術(shù)。尹志堯曾經(jīng)擔(dān)任應(yīng)用材料的公司副總裁（應(yīng)用材料是半導(dǎo)體設(shè)備廠商老大），參與領(lǐng)導(dǎo)幾代等離子體刻蝕設(shè)備的開發(fā)，在美國(guó)工作時(shí)就持有86項(xiàng)。2004年回來之后，國(guó)家牽頭設(shè)立了中微半導(dǎo)體公司，尹志堯等人重新投入研發(fā)刻蝕機(jī)，僅僅用了3年的時(shí)間就做出了世界的刻蝕機(jī)，為此美國(guó)人無法接受，還起訴了中微半導(dǎo)體侵權(quán)，但是終的驗(yàn)證結(jié)果是沒有任何的侵權(quán)。（這才是中微半導(dǎo)體比上海微電子發(fā)展快的原因，畢竟上海微電子的沒有人才在荷蘭的ASML工作過，也許正是因?yàn)檫@件事，所以美國(guó)現(xiàn)在禁止ASML招聘中國(guó)的員工）。我國(guó)的刻蝕機(jī)技術(shù)位于，中微半導(dǎo)體的介質(zhì)刻蝕機(jī)贏進(jìn)入臺(tái)積電7nm、10nm的生產(chǎn)線，中微半導(dǎo)體的刻蝕機(jī)制造工藝達(dá)到了5nm，已經(jīng)通過了臺(tái)積電的驗(yàn)證

蝕刻機(jī)和光刻機(jī)的區(qū)別

這倆設(shè)備非常簡(jiǎn)單的表述便是光刻機(jī)把原理圖投射到遮蓋有光刻膠的硅片上邊，刻蝕機(jī)再把剛剛畫了原理圖的硅片上的不必要原理圖浸蝕掉，那樣看上去好像沒有什么難的，可是有一個(gè)品牌形象的形容，每一塊集成ic上邊的電源電路構(gòu)造變大成千上萬倍看來比全部北京市都繁雜，這就是這光刻和蝕刻加工的難度系數(shù)。 光刻的全過程就是目前制做好的硅圓表面涂上一層光刻膠(一種能夠被光浸蝕的膠狀物化學(xué)物質(zhì))，下面根據(jù)光源(加工工藝難度系數(shù)紫外線＜深紫外線＜極紫外線)通過掩膜照射硅圓表面(相近投射)，由于光刻膠的遮蓋，照射的一部分被浸蝕掉，沒有陽(yáng)光照射的一部分被留下，這一部分就是必須 的電源電路構(gòu)造。 蝕刻加工分成二種，一種是干刻，一種是濕刻(現(xiàn)階段流行)，說白了，濕刻便是全過程中存水添加，將上邊歷經(jīng)光刻的圓晶與特殊的化學(xué)溶液反映，除掉不用的一部分，剩余的就是電源電路構(gòu)造了，干刻現(xiàn)階段都還沒完成商業(yè)服務(wù)批量生產(chǎn)，其基本原理是根據(jù)等離子技術(shù)替代化學(xué)溶液，除去不用的硅圓一部分。