一氧化氮的物理性質

一氧化氮的分子式為NO,由一個氮原子和一個氧原子組成  

一氧化氮的物理性質

一氧化氮的分子量為30.01,一氧化氮是一種無色氣體,當溫度降到℃時,能變成藍色液體.有毒.一氧化氮微溶于水、硫酸、硫酸鐵溶液和二i硫化碳溶液，極易溶于乙i酸。

分子量：30.006    熔點(三相點，21.9kPa)：-163.6℃

沸點（101.325kPa)：-151.8℃    液體密度（-151.75℃，101.325kPa)：1300kg/m3

氣體密度（0℃，101.325kPa)：1.340kg/m3    相對密度（25℃，101.325kPa，空氣=1)：1.036

比　容（21.1℃，101.325kPa)：0.8116m3/kg    充裝系數(shù)(15℃，101.325kPa)：1.35kg/L

臨界壓力：6550kPa    臨界密度：517kg/m3

熔化熱（-151.8℃ 21.9kPa)：76.62kJ/kg    汽化熱（-151.75℃ 101.325kPa)：461.39kJ/kg

比熱容（15℃，101.325kPa)：Cp=974.04J/(kg·K)    粘　度（100kPa,20℃ 氣體)：0.01800mPa·s

蒸汽壓（-160℃)：37kPa (-140℃)：350kPa (-100℃)：4750kPa

導熱系數(shù)（101.325kPa，0℃ )：0.02349W/(m·K)   

高純/特種氣體的概念

半導體集成電路制造所需要的高純氣體主要分為兩大類：

1.普通氣體：也叫大宗氣體，主要有：H2 、N2 、O2 、Ar 、He等。

2.特種氣體：主要指各種摻雜用氣體、外延用氣體、離子注入用氣體、刻蝕用氣體等。

半導體制造用氣體按照使用時的危險性分類：

1.可燃、助燃、易然易暴氣體：H2 、CH4、H2S、NH3 、SiH4、PH3 、B2H6、SiH2CL3、CLF3、SiHCL3等

2.有毒氣體：AsH3、PH3 、B2H6等

3.助燃氣體：O2 、N2O、F2 、HF等

4.窒息性氣體：N2 、He 、CO2、Ar等

5.腐蝕性氣體：HCL 、PCL3 、POCL3 、HF、SiF4、CLF3等

區(qū)域內多組氣體成份存在如何設置報警器？

探測器應安裝在氣體易泄漏場所，具體位置應根據被檢測氣體相對于空氣的比重決定。當被檢測氣體重于空氣時，探測器應安裝在距離地面0.3～0.6m處，且傳感器部位向下。當被檢測氣體輕于空氣時，探測器應高出距釋放源0.5～2m處，且傳感器部位向下。

為了正確使用探測器及防止探測器故障的發(fā)生，安裝時應避開以下位置：直接受蒸汽、i油煙影響的地方；給氣口、換氣扇、房門等風量流動大的地方；水汽、水滴多的地方(相對濕度：≥90%RH)；溫度在-40℃以下或55℃以上的地方；有強電磁場的地方。

高純氣體管道配管

所有高純度、高潔凈的氣體均需通過管路輸送到設備用點(POU)，為了達到工藝對氣體的質量要求，在氣體出口指標一定的情況下，則更需重視配管系統(tǒng)的材料選用和施工質量。除取決于制氣或凈化設備的精度外，在很大程度上受到管路系統(tǒng)諸多因素的影響，因此，管材的選取應恪守相關行業(yè)原則，并在圖紙中注明管道材質。

管路的材質則依使用的需求進行選擇，若為制程用的反應氣體則選擇高等級的316L EP管，經電解拋光(Electro-Polish)處理，耐腐蝕，表面粗糙度低，Rmax(maximum peak to valleyheight)約為0.3μm以下，其值遠低于經過光輝燒結(Bright Anneal)處理之316L BA管的0.8μm，因平整度越高越不容易形成微渦流，而將污染粒子帶出。316L BA管則常使用于和芯片接觸但不參與制程反應的氣體，如GN2、CDA。管內表面粗糙度是衡量管材質量的標準。粗糙度越低，其顆粒攜帶可能性大大降低。另一種未經特殊處理的AP管(Annealing & Picking)，則用于不做為供氣管路的雙套外管。