?PVD真空鍍膜金屬真空鍍膜

PVD真空鍍膜過程的均勻性

PVD真空鍍膜過程非常復(fù)雜，由于鍍膜原理的不同分為很多種類，僅僅因?yàn)槎夹枰哒婵斩榷鴵碛薪y(tǒng)一名稱。所以對(duì)于不同原理的PVD真空鍍膜，影響均勻性的因素也不盡相同。并且均勻性這個(gè)概念本身也會(huì)隨著鍍膜尺度和薄膜成分而有著不同的意義。

PVD鍍膜加工工藝流程比較長、工序繁多，發(fā)生故障的影響因素會(huì)很多。如PVD鍍膜前處理不凈、清洗不良、電解液成分失調(diào)及雜質(zhì)污染、生產(chǎn)環(huán)境不良等。PVD鍍膜而故障的原因往往存在于以上各影響因素的一兩個(gè)細(xì)節(jié)之中。

 2.2.2偏壓濺射biassputtering：在濺射過程中，將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。

   2.2.3直流二級(jí)濺射directcurrenodesputtering：通過二個(gè)電極間的直流電壓，使氣體自持放電并把靶作為陰極的濺射。

   2.2.4非對(duì)稱流濺射asymmtricalternatecurrentsputtering：通過二個(gè)電極間的非對(duì)稱流電壓，使氣體自持放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極。

   2.2.5高頻二極濺射highfrequencydiodesputtering：通過二個(gè)電極間的高頻電壓獲得高頻放電而使靶極獲得負(fù)電位的濺射。

   2.2.6熱陰極直流濺射（三極型濺射）hotcathodedirectcurrentsputtering：借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電，氣體放電所產(chǎn)生的離子，由在陽極和陰極（靶）之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射。

在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學(xué)汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

　　真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀(jì)30年，四五十年開始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用，工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開始于20世紀(jì)80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得廣泛的應(yīng)用。