3.3主要技術要求

3.3.1 動態(tài)參數測試單元技術要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1)海拔高度：海拔不超過1000m；

2)溫度：儲存環(huán)境溫度 -20℃～60℃；

3)工作環(huán)境溫度： -5℃～40℃；

4)濕度：20%RH 至 90%RH (無凝露，濕球溫度計溫度: 40℃以下)；

5)震動：抗能力按7級設防，地面抗震動能力≤0.5g；

6)防護：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；

4驗收和測試 1)驗收由雙方共同參加，按照技術規(guī)范書的技術要求逐項完成所有測試項，檢驗單元是否功能齊全、模塊完整、正常運行。由賣方現場安裝、測試，買方確認測試合格通過后完成驗收。 2)賣方負責組織和實施整個單元的組裝、調試、系統(tǒng)集成工作；由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求,帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換。負責免費培訓并提供培訓教材。培訓后，應能達到用戶能基本完全獨立熟練操作單元進行功率半導體性能測試，并能解決實際工程問題。

5 包裝、標志和運輸 賣方負責整套設備的包裝和運輸，并負擔由此產生的費用。出廠調試結束、出廠前預驗收完成后，賣方將為每個柜子量身定做包裝柜，保證包裝堅固，能適應中國境內公路、鐵路運輸，并兼顧設備在現場保存時間的要求。包裝與運輸由專人負責，每個部分隨機文件包括發(fā)貨清單、出廠合格證、試驗報告和主要器件說明書等。功率元件由于經常有大電流往復的沖擊，對半導體結構均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問題。