光刻膠的分類

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硅片制造中，光刻膠的目的主要有兩個：（1）將掩模版圖形轉移到硅片表面頂層的光刻膠中；（2）在后續(xù)工藝中，保護下面的材料（例如刻蝕或離子注入阻擋層）。

分類

光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。圖1是正性膠的顯影工藝與負性膠顯影工藝對比結果示意圖 [2]  。

光刻膠市場情況  

目前全球光刻膠市場基本被日本和美國企業(yè)所壟斷。光刻膠屬于高技術壁壘材料，生產工藝復雜，純度要求高，需要長期的技術積累。日本的JSR、東京應化、信越化學及富士電子四家企業(yè)占據了全球70%以上的市場份額，處于市場壟斷地位。

光刻膠市場需求逐年增加，2018年全球半導體光刻膠銷售額12.97億美元。隨著下游應用功率半導體、傳感器、存儲器等需求擴大，未來光刻膠市場將持續(xù)擴大。

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光刻膠的未來發(fā)展

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由于光刻膠的技術壁壘較高，國內光刻膠市場基本被國外企業(yè)壟斷。特別是高分辨率的KrF和ArF光刻膠，基本被日本和美國企業(yè)占據。  

國內光刻膠生產商主要生產PCB光刻膠，面板光刻膠和半導體光刻膠生產規(guī)模相對較小。國內生產的光刻膠中，PCB光刻膠占比94%，LCD光刻膠和半導體光刻膠占比分別僅有3%和2%。

國內光刻膠需求量遠大于本土產量，且差額逐年擴大。由于國內光刻膠起步晚，目前技術水平相對落后，生產產能主要集中在PCB光刻膠、TN/STN-LCD光刻膠等中低端產品，TFT-LCD、半導體光刻膠等高技術壁壘產品產能很少，仍需大量進口，從而導致國內光刻膠需求量遠大于本土產量。

   光刻膠定義

光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料，是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist，又翻譯為抗蝕劑、光阻等。因為光刻膠的作用就是作為抗刻蝕層保護襯底表面。光刻膠只是一種形象的說法，因為光刻膠從外觀上呈現為膠狀液體。

光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面。當紫外光或電子束的照射時，光刻膠材料本身的特性會發(fā)生改變，經過顯影液顯影后，曝光的負性光刻膠或未曝光的正性光刻膠將會留在襯底表面，這樣就將設計的微納結構轉移到了光刻膠上，而后續(xù)的刻蝕、沉積等工藝，就可進一步將此圖案轉移到光刻膠下面的襯底上，然后再使用除膠劑將光刻膠除去就可以了。  

期望大家在選購光刻膠時多一份細心，少一份浮躁，不要錯過細節(jié)疑問。想要了解更多光刻膠的相關資訊，歡迎撥打圖片上的熱線電話?。。?