高純氮氣廠家的氣瓶瓶閥使用需要注意哪些事項：

注意緩慢開啟瓶閥，往逆時針方向打開瓶閥，順時針方向關(guān)閉瓶閥；通常先旋盡瓶閥，然后返回2/3打開狀態(tài)。

關(guān)閉瓶閥停氣時，不得過于用力擰緊瓶閥，輕輕關(guān)至瓶閥不出氣即可，否則會損壞瓶閥的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

與瓶閥相連接的設(shè)備螺紋結(jié)構(gòu)，必須與瓶閥出氣口的結(jié)構(gòu)相吻合。

瓶閥嚴(yán)禁使用硬質(zhì)工具敲打、撞擊。

強腐蝕性氣體氣瓶用完后，必須要關(guān)緊瓶閥，以防外界空氣倒入，腐蝕瓶閥。

開啟瓶閥時，瓶閥的出氣口不準(zhǔn)對著人；同時操作者必須站在瓶閥的側(cè)面，不能站在正面和后面。

瓶閥出現(xiàn)異常，應(yīng)立即停止用氣；并退回供應(yīng)廠商處理。

淺談【標(biāo)準(zhǔn)氣體】的穩(wěn)定性與有效期

標(biāo)準(zhǔn)氣體的穩(wěn)定性是配制和使用過程中的關(guān)鍵問題。裝入高壓鋼瓶中的標(biāo)準(zhǔn)氣體理論上在保存和使用過程中其濃度值不應(yīng)發(fā)生變化。但實際上，標(biāo)準(zhǔn)氣體中的組分氣體或不純物與容器內(nèi)壁接觸時往往引起吸附、解吸、化學(xué)反應(yīng)等現(xiàn)象而使其濃度值隨時間發(fā)生變化，濃度越低、組成成分越復(fù)雜時這種變化越大。因此，標(biāo)準(zhǔn)氣體的穩(wěn)定性在很大程度上與容器的材料物性、容器內(nèi)壁的預(yù)處理情況和氣體本身的化學(xué)特性有著密切的關(guān)系。

(1)貯存容器的選擇及預(yù)處理

標(biāo)準(zhǔn)氣體的容器應(yīng)由耐腐蝕、不生銹、吸附少、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、機械強度高的材料制成。通常使用的高壓容器是由錳鋼、鉻相鋼、鋁合金或不銹鋼等材料制成的。通常采用的內(nèi)壁處理方法有酸洗、水洗、鏡面研磨、飽和處理等。飽和處理是為了防止容器內(nèi)壁因吸附或解吸帶來的影響，先對容器內(nèi)壁進行鏡面研，涂上防氧化漆，然后把高濃度氣體充人容器內(nèi)并放置10d左右.從而提高標(biāo)準(zhǔn)氣體穩(wěn)定性的一種方法。飽和處理能大大提高標(biāo)準(zhǔn)氣體定性。

(2)標(biāo)準(zhǔn)氣體穩(wěn)定性試驗

標(biāo)準(zhǔn)氣體穩(wěn)定性試驗是測定標(biāo)準(zhǔn)氣體濃度值隨時間的變化曲線，可根據(jù)各種氣體的特點，采用不同的測定方法。為了使測定結(jié)果準(zhǔn)確可靠和具有可比性，不僅要使用高精度的測定方法，而且在每次測定之前都要用新配制的基準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)氣體來校準(zhǔn)測定儀器。標(biāo)準(zhǔn)氣體濃度值隨時間的變化.通常用變化率來表示，就是以0d測定值為100%而求得的不同時間里的濃度變化百分比，可按下式計算：用變化率對時間繪制曲線，則會得到變化同線。這種變化率曲線能夠直觀地說明標(biāo)準(zhǔn)氣體的穩(wěn)定性。

氮氣的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,不活潑 只有在高溫高壓或者是放電的情況下才進行反應(yīng) 而且0毒無污染,來源廣泛，市場價值便宜，通常都是用于做標(biāo)準(zhǔn)氣體的底氣。下面一起看拿下高純氮氣標(biāo)準(zhǔn)氣體的選擇技巧。

通常，人們常用百分濃度來轟示氣體的純度，即所謂用幾個“9”字的表示法。例如，某種氣體濃度為99．9％，表示含有0.1% 的雜質(zhì)(即雜質(zhì)含量為1000ppm)。按通常的概念，顯然，濃度為99.995％的氣體比99．99％的氣體更純，人們使用起來似乎能更放心。但是，如果在選擇純度時限于這種考慮，則不論對科研或生產(chǎn)都將有不利的影響。如果只作這樣的考慮，顯然忽視了兩個主要因素，即高純氮氣標(biāo)準(zhǔn)氣體的價格和所含雜質(zhì)的危害性?！?

獲得7個“9”以上的超高純氮氣標(biāo)準(zhǔn)氣體，現(xiàn)已相當(dāng)困難，除在實驗室中能提供一部分外，在一般工業(yè)生產(chǎn)中難以大量提供。因此，從經(jīng)濟上來說，單純追求“9”字?jǐn)?shù)目的純氣體，除了在科研中還能有條件地接受之外，在一般生產(chǎn)上是根本無法接受的。

我們應(yīng)該從氣體中所含雜質(zhì)的濃度和該雜質(zhì)對本工藝的危害性角度出發(fā)來選擇使用高純氣體。這是因為目前要使氣體中的雜質(zhì)總量降到lppm以下雖然是困難的，但對將單項有害雜質(zhì)降到l×10-9或更低的水平還是可能的。按目前的工藝水平，硅中雜質(zhì)總含量不會低于10-8(1ppm)的水平，但是，對其中有危害的電活性雜質(zhì)磷、硼等的單項控制，巳達(dá)1×10-8 ～l×10-10 。(即O.1～O.O1ppb)的水平。