磁控濺射鍍膜機的工作原理

控濺射原理電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與原子發(fā)生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內，該區(qū)域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與原子發(fā)生碰撞電離出大量的離子轟擊靶材，經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，終沉積在基片上。 磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運動。至于靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關系。 在機理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在此原理下工作。所不同的是電場方向，電壓電流大小而已。鍍一層薄薄的膜加工工藝中的塑料薄膜薄厚勻稱性，堆積速度，靶材使用率等層面的難題是具體生產制造中非常關心的。

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磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

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靶zhong毒的物理解釋

（1）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數比金屬的高，靶zhong毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數量增加，提高了空間的導通能力，降低了等離子體阻抗，導致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當發(fā)生靶zhong毒時，濺射電壓會顯著降低。（2）金屬靶材與化合物靶材本來濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數要比化合物的濺射系數高，所以靶zhong毒后濺射速率低。（3）反應濺射氣體的濺射效率本來就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。磁控濺射技術鍍膜磁控濺射技術鍍膜是一種重要的物理的氣相沉積鍍膜技術，這種工藝可工業(yè)化批量生產。

磁控濺射的原理

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成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現大面積鍍膜。該技術可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。

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磁控濺射鍍膜設備技術的特點

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(1)工件變形小 由于工件表面均勻覆蓋輝光，溫度一致性好，可以通過控制功率輸出來實現均勻升溫。另陰極濺射抵消了滲人元素引起的尺寸擴一大

(2) 滲層的組織和結構易于控制 通過調整工藝參數，可得到單相或多相的滲層組織

(3)工件無須附加清理 陰極濺射可以有效去除氧化膜，凈化工件表面，同時真空處理無新生氧化膜，這些都減少了附加設備和工時，降低了成本。

(4) 防滲方便 不需滲的地方可簡單地遮蔽起來，對環(huán)境無公害，無污染，勞動條件好。

(5) 經濟效益高，能耗小 雖然初始設備投資較大，但工藝成本極低，是一種廉價的工程技術方法。此外，離子轟擊滲擴技術易實現工藝過程或滲層質量的計算機控制，質量重復性好，可操作性強。