光刻膠的應(yīng)用

光刻膠的應(yīng)用

       1975年，美國(guó)的國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學(xué)品制定了國(guó)際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)——SEMI標(biāo)準(zhǔn)。1978年，德國(guó)的伊默克公司也制定了MOS標(biāo)準(zhǔn)。兩種標(biāo)準(zhǔn)對(duì)超凈高純化學(xué)品中金屬雜質(zhì)和(塵埃)微粒的要求各有側(cè)重，分別適用于不同級(jí)別IC的制作要求。預(yù)計(jì)2017和2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場(chǎng)將分別達(dá)到15。其中，SEMI標(biāo)準(zhǔn)更早取得世界范圍內(nèi)的普遍認(rèn)可。

光刻膠市場(chǎng)

我國(guó)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模2015年已達(dá)51.7億元，同比增長(zhǎng)11%，高于國(guó)際市場(chǎng)增速，但全球占比仍不足15%，發(fā)展空間巨大。2015年我國(guó)光刻膠產(chǎn)量為9.75萬(wàn)噸，而需求量為10.12萬(wàn)噸，依照需求量及產(chǎn)量增速預(yù)計(jì)，未來(lái)仍將保持供不應(yīng)求的局面。據(jù)智研咨詢估計(jì)，得益于我國(guó)平面顯示和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，我國(guó)光刻膠市場(chǎng)需求，在2022年可能突破27.2萬(wàn)噸。在光刻膠生產(chǎn)種類上，我國(guó)光刻膠廠商主要生產(chǎn)PCB光刻膠，而LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小，相關(guān)光刻膠主要依賴進(jìn)口。前道工藝出了問(wèn)題，保證不了科研與生產(chǎn)，光刻膠國(guó)產(chǎn)化就遙遙無(wú)期。放眼國(guó)際市場(chǎng)，光刻膠也主要被美國(guó)Futurrex 的光刻膠、日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、住友化學(xué)、美國(guó)杜邦、德國(guó)巴斯夫等化工寡頭壟斷。

光刻工藝主要性一

光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復(fù)雜等特征，還需要相應(yīng)光刻機(jī)與之配對(duì)調(diào)試。一般情況下，一個(gè)芯片在制造過(guò)程中需要進(jìn)行10~50道光刻過(guò)程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過(guò)程對(duì)光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過(guò)程，不同的廠商也會(huì)有不同的要求。據(jù)悉，經(jīng)過(guò)項(xiàng)目組全體成員的努力攻關(guān)，完成了EUV光刻膠關(guān)鍵材料的設(shè)計(jì)、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實(shí)驗(yàn)室光刻膠性能的初步評(píng)價(jià)裝備的研發(fā)，達(dá)到了任務(wù)書(shū)中規(guī)定的材料和裝備的考核指標(biāo)。

針對(duì)不同應(yīng)用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應(yīng)用需求，是光刻膠制造商核心的技術(shù)。

此外，由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應(yīng)。光刻分辨率與曝光波長(zhǎng)、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關(guān)。