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鍍膜技術也叫薄膜技術，是在真空條件下采用物理或化學方法，使物體表面獲得所需的膜體。鍍膜技術是初起源于20世紀30年代，直到70年代后期才得到較大發(fā)展的一種技術。物理l氣相沉積（真空鍍膜）基本方法：從被沉積物質的氣化方式看，真空蒸鍍?yōu)殡娮杓訜?、電子束加熱、感應加熱、激光加熱等。目前已被廣泛應用于耐酸、耐蝕、耐熱、表面硬化、裝飾、潤滑、光電通訊、電子集成、能源等領域.

真空鍍膜的形式：蒸發(fā)鍍膜

工藝原理：

1）在真空室中，膜料被加熱變成蒸發(fā)原子，蒸發(fā)原子在真空條件下不與殘余氣

體分子碰撞而到達工件表面；

2）蒸發(fā)原子與基材碰撞后一部分被反射，另一部分被吸附；

3）吸附原子在基材表面發(fā)生表面擴散。

真空鍍膜的形式：蒸發(fā)鍍膜

4）沉積原子之間產生兩維碰撞，形成簇團，有的在表面停留一段時間后再蒸發(fā)；

5）原子簇團與擴散原子相碰撞，或吸附單原子，或放出單原子，這種過程反復進行；

6）當原子數超過某一臨界值時就變?yōu)榉€(wěn)定核，再不斷吸附其他擴散原子而逐步長大，后與鄰近穩(wěn)定核合并進而變成連續(xù)膜。

PLD缺點：1、在鍍膜過程中，薄膜會被沉積在薄膜上的等離子本管中產生的微粒、氣態(tài)原子和分子降低質量，采取一定的措施后也

不能完全消除.2、在控制摻雜、生長平滑的多層膜等方面PLD生長部比較困難，因此進一步提高薄膜的質量會比較困難.