半導(dǎo)體真空腔體的應(yīng)用

中國(guó)半導(dǎo)體真空腔體市場(chǎng)近幾年快速發(fā)展,越來(lái)越多的公司也表達(dá)了進(jìn)入芯片領(lǐng)域的興趣.以存儲(chǔ)芯片為例,以前中國(guó)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片完全靠進(jìn)口,今年福建晉華集成電路的內(nèi)存生產(chǎn)線有望投產(chǎn),另外長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司也在建設(shè)內(nèi)存和閃存芯片生產(chǎn)線.格力、康佳等傳統(tǒng)家電企業(yè)也表示,將進(jìn)入芯片領(lǐng)域.

據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)報(bào)告顯示,中國(guó)目前正在天津、西安、北京、上海等16個(gè)地區(qū)打造25個(gè)FAB建設(shè)項(xiàng)目,福建晉華集成電路、長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司等企業(yè)技術(shù)水平雖不及韓國(guó),但均已投入芯片量產(chǎn).報(bào)告預(yù)測(cè),今年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)118億美元,實(shí)現(xiàn)同比43.9%的增長(zhǎng),并且明年市場(chǎng)規(guī)模有望擴(kuò)大至173億美元,增長(zhǎng)46.6%,成為大市場(chǎng).而同一時(shí)期內(nèi)韓國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模從179.6億美元減少至163億美元,減幅為9.2%.中國(guó)超越韓國(guó)成為全球很大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng).

真空腔體

真空腔體的加熱方式分為內(nèi)加熱和外加熱兩種,外加熱是在腔體外部加熱,依靠腔體壁將熱量傳導(dǎo)進(jìn)來(lái),通過(guò)熱輻射傳遞熱量;內(nèi)加熱是直接在真空腔體內(nèi)部進(jìn)行加熱,相比內(nèi)加熱方式,外加熱有滯后性,且內(nèi)加熱方式的控溫精度相對(duì)于外加熱來(lái)說(shuō)更,所以一般情況下我們會(huì)選擇內(nèi)加熱方式.

加熱器的選擇也非常重要,一般選用安裝方便的扣板式加熱板進(jìn)行內(nèi)加熱.扣板式加熱板的表面是鏡面的不銹鋼板,在平整度上比直接由真空腔體壁拋光更有優(yōu)勢(shì),更利于進(jìn)行熱輻射傳導(dǎo)熱量.

影響真空絕緣水平的主要因素

電極的幾許形狀

電極的幾許形狀對(duì)電場(chǎng)的分布有很大的影響，往往因?yàn)閹自S形狀不行恰當(dāng)，引起電場(chǎng)在部分過(guò)于集中而導(dǎo)致?lián)舸?，這一點(diǎn)在高電壓的真空產(chǎn)品中特別杰出。

電極邊際的曲率半徑大小是重要因素。一般來(lái)說(shuō)，曲率半徑大的電極接受擊穿電壓的能力比曲率半徑小的大。

此外，擊穿電壓還和電極面積的大小成反比，即跟著電極面積的增大而有所下降。面積增大導(dǎo)致耐壓下降的原因主要是放電概率添加。