鍍膜設(shè)備的鍍膜方式及特點

鍍膜設(shè)備就是在高真空狀態(tài)下通過高溫將金屬鋁熔化蒸發(fā)，使鋁的蒸汽沉淀堆積到塑料薄膜表面上，從而使塑料薄膜表面具有金屬光澤的設(shè)備。真空鍍膜技術(shù)作為一種產(chǎn)生特定膜層的技術(shù)，在現(xiàn)實生產(chǎn)生活中有著廣泛的應(yīng)用。

鍍膜設(shè)備的鍍膜方式：離子鍍，蒸發(fā)鍍，濺射鍍，鍍膜設(shè)備的特點：成膜速度快0.1-50um/min，設(shè)備比較簡單，操作容易;制得薄膜純度高;薄膜生長機理較簡單。

手機真空納米鍍膜機的特點

(1)各種鍍膜技術(shù)都需要一個特定的真空環(huán)境，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或濺射過程中所形成蒸氣分子的運動，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質(zhì)的不良影響。

(2)各種鍍膜技術(shù)都需要有一個蒸發(fā)源或靶子，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體。由于源或靶的不斷改進，大大擴大了制膜材料的選用范圍，無論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機物質(zhì)，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜，而且還可以同時蒸鍍不同材料而得到多層膜。

(3)蒸發(fā)或濺射出來的制膜材料，在與待鍍的工件生成薄膜的過程中，對其膜厚可進行比較的測量和控制，從而保證膜厚的均勻性。

蒸發(fā)真空鍍膜機的原理及性能,你了解多少?

電鍍設(shè)備真空中制備膜層可防止膜料和鍍件表面的污染，消除空間碰撞，提高鍍層的致密性和可制備單一化合物的特殊功能的鍍層。對于大面積鍍膜，常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時間（或決定于裝料量），并與源和基片的距離有關(guān)。從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。排氣系統(tǒng)一般由機械泵、擴散泵、管道和閥門組成。目前所用的蒸發(fā)源主要有電阻加熱、電子束加熱、感應(yīng)加熱、電弧加熱和激光加熱等多種形式。蒸氣分子平均動能約為0.1～0.2電子伏。薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米。

為了提高鍍層厚度的均勻性，真空室內(nèi)的鍍件夾具有行星機構(gòu)或自轉(zhuǎn)加公轉(zhuǎn)的運動裝置，如用行星運動方式，這種運動方式成膜均勻性好，臺階覆蓋性能良好，鍍件裝載量大，可以充分利用真空鍍膜室的有效空間，是目前經(jīng)常采用的運動方式。蒸發(fā)鍍膜機主要由真空室、排氣系統(tǒng)、蒸發(fā)系統(tǒng)和電氣設(shè)備四部分組成。