化學(xué)氣相沉積的特點(diǎn)

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特點(diǎn)

1）在中溫或高溫下，通過(guò)氣態(tài)的初始化合物之間的氣相化學(xué)反應(yīng)而形成固體物質(zhì)沉積在基體上。

2）可以在常壓或者真空條件下(負(fù)壓“進(jìn)行沉積、通常真空沉積膜層質(zhì)量較好）。

）采用等離子和激光輔助技術(shù)可以顯著地促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，使沉積可在較低的溫度下進(jìn)行。

4）涂層的化學(xué)成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。

5）可以控制涂層的密度和涂層純度。

6）繞鍍件好?？稍趶?fù)雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合涂覆各種復(fù)雜形狀的工件。由于它的繞鍍性能好，所以可涂覆帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件。

7）沉積層通常具有柱狀晶體結(jié)構(gòu)，不耐彎曲，但可通過(guò)各種技術(shù)對(duì)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行的氣相擾動(dòng)，以改善其結(jié)構(gòu)。

8）可以通過(guò)各種反應(yīng)形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。

化學(xué)氣相沉積的分類

化學(xué)氣相沉積的方法很多，如常壓化學(xué)氣相沉積(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化學(xué)氣相沉積(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光化學(xué)氣相沉積(Laser CVD，LCVD)、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(metal-organic CVD，MOCVD)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（Plasma enhanced CVD，PECVD）等?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用化學(xué)氣相沉積技術(shù)生產(chǎn)多晶/非晶材料膜：化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體工業(yè)中有著比較廣泛的應(yīng)用。

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等離子體化學(xué)氣相沉積

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)脈沖激光沉積供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰?lái)以下信息。

等離子體化學(xué)氣相沉積簡(jiǎn)稱PCVD，是一種用等離子體激發(fā)反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。在成沉積時(shí)往裝置中通入氧氣是為了消除掉原料因熱分解產(chǎn)生的碳，并制備出更有金屬光澤的金屬薄膜，如若不然則得到的就是銥碳簇膜，也就是納米等級(jí)被晶碳層所包裹的銥顆粒。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場(chǎng)作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應(yīng)氣體，利用等離子體放電，使反應(yīng)氣體激發(fā)并實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。

ICP刻蝕機(jī)的測(cè)量與控制

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司生產(chǎn)、銷售ICP刻蝕機(jī)，以下信息由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供。

由于等離子刻蝕工藝中的過(guò)程變量，如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗，等等，不易測(cè)量，因此業(yè)界常用的測(cè)量方法有：

虛擬測(cè)量（Virtual Metrology） 

等離子刻蝕過(guò)程控制示意圖

光譜測(cè)量

等離子阻抗監(jiān)控

終端探測(cè)

遠(yuǎn)程耦合傳感

控制方法

run-to-run 控制（R2R） 

模型預(yù)測(cè)控制（MPC）

人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制