金屬表面處理在將柱形鋁材按照前面評(píng)估的胚料大小進(jìn)行切割并擠壓，這個(gè)過(guò)程被稱之為鋁擠，會(huì)讓鋁材擠壓之后成為規(guī)則的鋁板方便加工，同時(shí)更加致密，堅(jiān)硬。因?yàn)樵嫉匿X材硬度和強(qiáng)度都不夠。 國(guó)內(nèi)外都有Al2O3彌散強(qiáng)化無(wú)氧高導(dǎo)銅產(chǎn)品，如美國(guó)SCM金屬制品公司的Glidcop含有99．7％的銅和0．3％彌散分布的Al2O3。加入Al2O3后，熱導(dǎo)率稍有減少，為365W(m-1K-1)，電阻率略有增加，為1．85μΩ·cm，但屈服強(qiáng)度得到明顯增加。 金屬封裝外殼此外密度較大，不適合航空、航天用途。有金屬基質(zhì)復(fù)合體的許多基材，但作為用于封裝熱匹配的復(fù)合材料主要是Cu基體和陳基復(fù)合但密度也銅/W具有空間中的總輻射劑量（TID）環(huán)境良好的屏蔽效果以獲得相同的屏蔽效果，鋁的厚度用于需要是16倍的Cu/W的。1．3 鋼10號(hào)鋼熱導(dǎo)率為49．8 W(m-1K-1)，大約是可伐合金的三倍，它的CTE為12．6×10-6K-1，與陶瓷和半導(dǎo)體的CTE失配，可與軟玻璃實(shí)現(xiàn)壓縮封接。不銹鋼主要使用在需要耐腐蝕的氣密封裝里，不銹鋼的熱導(dǎo)率較低，如430不銹鋼(Fe-18Cr，中國(guó)牌號(hào)4J18)熱導(dǎo)率僅為26．1 W(m-1K-1)。

 不少低密度、的金屬基復(fù)合材料非常適合航空、航天用途。金屬基復(fù)合材料的基體材料有很多種，但作為熱匹配復(fù)合材料用于封裝的主要是Cu基和燦基復(fù)合材料。金屬封裝外殼壓鑄的原則就是不浪費(fèi)，節(jié)省時(shí)間和成本，但是不利于后期的陽(yáng)極氧化工藝，還可能留下沙孔流痕等等影響質(zhì)量和外觀的小問(wèn)題，當(dāng)然，廠商們都有一個(gè)良品率的概念，靠譜的廠商是不會(huì)讓這些次品流入到后面的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中去的。銅、鋁純銅也稱之為無(wú)氧高導(dǎo)銅(OFHC)，電阻率1．72μΩ·cm，僅次于銀。國(guó)內(nèi)外已廣泛生產(chǎn)并用在大功率微波管、大功率激光二極管和一些大功率集成電路模塊上。它的熱導(dǎo)率為401W(m-1K-1)，從傳熱的角度看，作為封裝殼體是非常理想的，可以使用在需要高熱導(dǎo)和／或高電導(dǎo)的封裝里，然而，它的CTE高達(dá)16．5×10-6K-1，可以在剛性粘接的陶瓷基板上造成很大的熱應(yīng)力。

金屬表面處理密度大也使Cu／W具有對(duì)空間輻射總劑量(TID)環(huán)境的優(yōu)良屏蔽作用，因?yàn)橐@得同樣的屏蔽作用，使用的鋁厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金屬封裝材料及其應(yīng)用除了Cu／W及Cu／Mo以外，傳統(tǒng)金屬封裝材料都是單一金屬或合金，它們都有某些不足，難以應(yīng)對(duì)現(xiàn)代封裝的發(fā)展。金屬封裝外殼此外密度較大，不適合航空、航天用途。1．3 鋼10號(hào)鋼熱導(dǎo)率為49．8 W(m-1K-1)，大約是可伐合金的三倍，它的CTE為12．6×10-6K-1，與陶瓷和半導(dǎo)體的CTE失配，可與軟玻璃實(shí)現(xiàn)壓縮封接。不銹鋼主要使用在需要耐腐蝕的氣密封裝里，不銹鋼的熱導(dǎo)率較低，如430不銹鋼(Fe-18Cr，中國(guó)牌號(hào)4J18)熱導(dǎo)率僅為26．1 W(m-1K-1)。⑥可鍍覆性、可焊性和耐蝕性，以實(shí)現(xiàn)與芯片、蓋板、印制板的可靠結(jié)合、密封和環(huán)境的保護(hù)。銅、鋁純銅也稱之為無(wú)氧高導(dǎo)銅(OFHC)，電阻率1．72μΩ·cm，僅次于銀。它的熱導(dǎo)率為401W(m-1K-1)，從傳熱的角度看，作為封裝殼體是非常理想的，可以使用在需要高熱導(dǎo)和／或高電導(dǎo)的封裝里，然而，它的CTE高達(dá)16．5×10-6K-1，可以在剛性粘接的陶瓷基板上造成很大的熱應(yīng)力。

金屬表面處理在將柱狀鋁材依照前邊評(píng)定的胚料尺寸開(kāi)展激光切割并擠壓，這一全過(guò)程被稱作鋁擠，會(huì)讓鋁材擠壓以后變成標(biāo)準(zhǔn)的鋁板便捷生產(chǎn)加工，另外更為高密度，硬實(shí)。由于初始的鋁材強(qiáng)度和抗壓強(qiáng)度都不足。這些材料具有高的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能，同時(shí)融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。金屬封裝多種形式、生產(chǎn)加工靈便，能夠和一些構(gòu)件(如混和集成化的A／D或D／A轉(zhuǎn)化器)結(jié)合為一體，合適于低I／O數(shù)的單芯片和多集成ic的主要用途，也合適于頻射、微波加熱、光學(xué)、聲表面波和大電力電子器件，能夠考慮批量生產(chǎn)、銷售電價(jià)的規(guī)定。因此用碳纖維(高純石墨化學(xué)纖維)提高的銅基高分子材料在高功率主要用途很有力。與銅復(fù)合型的原材料沿碳纖維長(zhǎng)短方向CTE為-0．5×10-6K-1，熱導(dǎo)率600-750W(m-1K-1)，而垂直平分碳纖維長(zhǎng)短方向的CTE為8×10-6K-1,熱導(dǎo)率為51-59W(m-1K-1)，比沿纖維長(zhǎng)度方向的熱導(dǎo)率少低一個(gè)量級(jí)。