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真空磁控濺射鍍膜設(shè)備公司在線咨詢「沈陽鵬程」

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發(fā)布時間:2021-07-25 14:25  






線列式磁控生產(chǎn)線

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售磁控濺射產(chǎn)品,我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

采用先進的in-line產(chǎn)線結(jié)構(gòu),Twin-Mag孿生陰極磁控濺射技術(shù),并配以全自動控制系統(tǒng)、先進的真空系統(tǒng),可在玻璃襯底上鍍制SiO2、ITO、AZO、Al、Ni、Ti等各類絕緣介質(zhì)薄膜、金屬或合金薄膜,并可連續(xù)濺鍍多種不同材質(zhì)的薄膜構(gòu)成復(fù)合多膜層結(jié)構(gòu),適合大規(guī)模光學(xué)、電學(xué)薄膜的生產(chǎn),做到一機多用具有高能效、高可靠性、低成本的優(yōu)勢。目前該系列有基本型、旗艦型、豪華型、尊享型4種不同配置可供選擇,可以根據(jù)客戶的不同需求進行配置,比較靈活。

     本產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于觸摸屏ITO鍍膜、LCD顯示屏ITO鍍膜、薄膜太陽能電池背電極及AZO鍍膜、彩色濾光片鍍膜、電磁屏蔽玻璃鍍膜、AR鍍膜、裝飾鍍膜等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。



磁控濺射的工作原理

想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)內(nèi)容,請及時關(guān)注沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司網(wǎng)站。

磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下,在飛向基片過程中與原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用,產(chǎn)生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移,簡稱E×B漂移,其運動軌跡近似于磁控濺射一條擺線。若為環(huán)形磁場,則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,它們的運動路徑不僅很長,而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材,從而實現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加,二次電子的能量消耗殆盡,逐漸遠離靶表面,并在電場E的作用下沉積在基片上。由于該電子的能量很低,傳遞給基片的能量很小,致使基片溫升較低。輝光區(qū)發(fā)射出電子、離子、中性原子、光子等,這些組成等離子體(宇宙99%以上的組成物質(zhì)為等離子體)輝光和基體之間電壓降很小。

磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程,和靶原子碰撞,把部分動量傳給靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成級聯(lián)過程。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量,離開靶被濺射出來。



直流磁控濺射技術(shù)的原理

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)生產(chǎn)、銷售磁控濺射產(chǎn)品,我們公司堅持用戶為上帝,想用戶之所想,急用戶之所急,以誠為本,講求信譽,以產(chǎn)品求發(fā)展,以質(zhì)量求生存,我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。

直流磁控濺射技術(shù)其原理是:在磁控濺射中,由于運動電子在磁場中受到洛侖茲力,它們的運動軌跡會發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運動,其運動路徑變長,因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù),使等離子體密度增大,從而磁控濺射速率得到很大的提高,而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作,降低薄膜污染的傾向;另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量,因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。同時,經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時,已變成低能電子,從而不會使基片過熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優(yōu)點。如果上半部分熱的話說明冷卻不好,會向真空室返油,那就是不正常的現(xiàn)象了,說明冷卻不好,原因可能是水壓不夠或者水管內(nèi)有阻塞。



自動磁控濺射系統(tǒng)有哪些特點?

自動磁控濺射系統(tǒng)產(chǎn)品特點:

不銹鋼腔體

晶振夾具具有的<1 ?的厚度分辨率

帶觀察視窗的腔門易于上下的載片

基于LabView軟件的PC計算機控制

帶密碼保護功能的多級訪問控制

完全的安全聯(lián)鎖功能

預(yù)真空鎖以及自動晶圓片上/下的載片



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