公司自成立以來(lái)，一直致力于電熱元件、電爐、電爐配套材料的研究開發(fā)與生產(chǎn)，其中電熱元件的生產(chǎn)工藝在傳統(tǒng)的老工藝基礎(chǔ)上引進(jìn)新工藝，取長(zhǎng)補(bǔ)短，將兩種工藝完美地結(jié)合在一起， 雄厚的技術(shù)力量，先進(jìn)的工藝設(shè)備，完善的檢測(cè)手段，配套齊全的生產(chǎn)設(shè)施，使企業(yè)在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)了一席之地，得到了長(zhǎng)足發(fā)展。2、爐溫穩(wěn)定在某一溫度時(shí)，若螺旋硅碳棒斷棒，則儀表的輸出百分比較前一時(shí)間段會(huì)加大，電流表顯示電流會(huì)減小。 在科學(xué)技術(shù)日新月異的今天，為滿足客戶不斷變化的要求，我們正努力通過(guò)新產(chǎn)品新材料和高新技術(shù)的開發(fā)，提供給客戶更加滿意的高質(zhì)量產(chǎn)品。本著“質(zhì)量監(jiān)控嚴(yán)格達(dá)標(biāo)，服務(wù)信譽(yù)真誠(chéng)可靠”的企業(yè)精神，我們將以優(yōu)質(zhì)的服務(wù)，完美的產(chǎn)品，良好的信譽(yù)感謝新老客戶的支持與厚愛(ài)。

影響硅碳棒使用壽命的主要因素:

① 使用溫度

硅碳棒溫度越高壽命越短。特別是在爐膛溫度超過(guò)1600℃以后，氧化速度加快，硅碳棒的使用壽命變短，所以請(qǐng)盡量不要讓硅碳棒表面溫度過(guò)高，即有必要縮小爐膛溫度與硅碳棒溫度之差。

②表面負(fù)荷

表面負(fù)荷密度指棒的發(fā)熱部單位表面積所允許承載的額定功率。

表面負(fù)荷密度=額定功率（W）/ 發(fā)熱部表面積（cm2）

實(shí)踐證明：負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長(zhǎng)快， SIC棒的壽命短。因此，硅碳棒表面溫度負(fù)荷密度、爐內(nèi)氣氛、溫度與SIC棒老化速度成正比，與SIC棒的壽命成反比。

爐膛溫度與表面負(fù)荷密度的關(guān)系

圖示的使用范圍曲線為表面負(fù)荷密度臨界線，實(shí)際情況下請(qǐng)保持臨界線的 1/2—1/3的表面負(fù)荷。

公司專業(yè)生產(chǎn)電爐、不同規(guī)格的等直徑硅碳棒， 槽型棒 U型棒 槍型棒 門型棒 U型直角硅碳棒等各種異形硅碳棒，質(zhì)量穩(wěn)定，價(jià)格優(yōu)惠。

硅碳棒是一種非金屬電熱元件,其電阻率的變化隨溫度的變化而改變,并且電阻率的變化呈非線性.我國(guó)傳統(tǒng)工藝制造的硅碳棒電阻率隨溫度變化存在一個(gè)800度的拐點(diǎn).硅碳棒的電阻特性是電阻率在室溫時(shí)電阻率將很大,隨著溫度的升高電阻率迅速降低,到800攝氏度時(shí)電阻率達(dá)到低谷,而后隨著溫度繼續(xù)升高,電阻率緩慢升高,并且隨溫度的升高電阻率升高愈大。硅碳棒電阻爐與傳統(tǒng)的電阻絲加熱方式比較，當(dāng)加熱元件損壞時(shí)，不需停爐一天以上，等爐溫冷卻下來(lái)再更換加熱元件，而是熱爐更換，且只需十分鐘以內(nèi)，從而保證了生產(chǎn)的連續(xù)性。

為防止硅碳棒電熱元件與上部結(jié)構(gòu)的耐火材料互相影響，各個(gè)元件的管腳均用陶瓷纖維套管絕緣，陶瓷纖維套管不但起著電氣絕緣的作用而且還起到固定硅碳棒的作用。

料道中使用的硅碳棒，為了延長(zhǎng)硅碳棒加熱元件的壽命。可改進(jìn)料道上部結(jié)構(gòu)，用擋磚將料道與工作池隔開,嚴(yán)格控制料道氣氛

在高溫氣氛下、原件的表面生成一層致密的石英SIO2保護(hù)層以防止MOSI2繼續(xù)氧化。其中常規(guī)的粗端部硅碳棒直徑為8-45mm，長(zhǎng)度為220-4000mm，可以根據(jù)客戶的圖紙要求，生產(chǎn)相應(yīng)規(guī)格或非常規(guī)的各種硅碳棒元件。當(dāng)元件溫度大于1700度、熔點(diǎn)1710度的SIO2保護(hù)層熔融、由于表面張力的作用、SIO2熔聚成滴、而失去保護(hù)作用。元件在氧化氣氛下在繼續(xù)使用時(shí)、SIO2保護(hù)層重新生成 。 　　硅碳棒為非金屬電熱元件是用高純度綠色六方碳化硅為主要原料、按一定料比加工制坯、經(jīng)2200℃高溫硅化再結(jié)晶燒結(jié)而制成的棒狀、管狀非金屬高溫電熱元件。氧化性氣氛中正常使用溫度可達(dá)1450℃