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發(fā)布時(shí)間:2021-07-14 10:24  






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活性炭生產(chǎn)的主要原料是植物原料(木材、果核、果殼、棉稈、蔗糖渣等)、礦物原料(瀝青、石油瀝青等)。廢物(如塑料廢物、橡膠廢物和動(dòng)物骨血等)、合成纖維材料(如聚等)合成纖維材料(如聚纖維、粘合纖維、瀝青基纖維等)。 根據(jù)生產(chǎn)中使用的原料,我國(guó)主要活性炭品種包括木活性炭,煤活性炭,殼活性炭和纖維狀活性炭。




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     碳化硅陶瓷

    碳化硅陶瓷在石油、化工、微電子、汽車、航天、航空、造紙、激光、礦業(yè)及原子能等工業(yè)領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。下面為大家來(lái)介紹一下碳化硅陶瓷的良好導(dǎo)熱性能。

  碳化硅陶瓷的良好導(dǎo)熱性能 陶瓷的優(yōu)異性能與其獨(dú)特結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。SiC是共價(jià)鍵很強(qiáng)的化合物,SiC中Si-C鍵的離子性僅12%左右。因此,SiC強(qiáng)度高、彈性模量大,具有優(yōu)良的耐磨損性能。純SiC不會(huì)被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空氣中加熱時(shí)易發(fā)生氧化,但氧化時(shí)表面形成的SiO2會(huì)抑制氧的進(jìn)一步擴(kuò)散,故氧化速率并不高。在電性能方面,SiC具有半導(dǎo)體性,少量雜質(zhì)的引入會(huì)表現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性。此外,SiC還有優(yōu)良的導(dǎo)熱性。




碳化硅的原料有石英砂、石油焦等,又叫金剛砂,化學(xué)結(jié)構(gòu)為六方形晶體,通常比重為 3.2,硬度較大,平均為3000kg/mm2。碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn),如導(dǎo)熱系數(shù)高、膨脹系數(shù)小、體積小和強(qiáng)度高等。碳化硅涂層被電磁波影響,從而產(chǎn)生感應(yīng)電流,應(yīng)電流易受電磁場(chǎng)影響改變方向,同時(shí)由于材料的高電阻阻礙,電磁波的能量會(huì)變?yōu)闊崃可⑹?,即能量消耗,這樣雷達(dá)等電子設(shè)備的信號(hào)大大減弱,這種現(xiàn)象稱為吸波性能。

不同類型的碳化硅材料具有不同的吸波能力。例如,異形截面的碳化硅與邊界規(guī)則的碳化硅截面具有不同的吸波性能,不同碳化硅的表面曲率不同,其電荷聚集的能力也不同,通常曲率較小則容易聚集電荷。另外,不同厚度的涂層對(duì)吸波性能也有不同的影響。




討論

通過(guò)試驗(yàn)可得,碳化硅涂層越薄,吸波能力越低;涂層中所含碳化硅含量越低,吸波能力越低。當(dāng)涂層厚度與碳化硅含量達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)時(shí),涂層可承受 250℃高溫。在 150℃環(huán)境中,厚度為 1mm 的碳化硅涂層吸收強(qiáng)度保持在 20dB 左右。

通過(guò)對(duì)比分析可知,碳化硅涂層的適吸波能力為1mm,碳化硅涂層的多波段吸收可以跨越不同厚度的涂層。隨著碳化硅涂層厚度的減小,涂層吸收峰的峰位逐漸轉(zhuǎn)為高頻。

在一定范圍內(nèi),吸收峰的峰位變化與碳化硅含量成正比,碳化硅含量增加,則吸收峰峰位向高頻移動(dòng)。相反,涂層厚度與吸收峰的峰位成反比,厚度增加,則吸收峰峰位移向低頻段。當(dāng)涂層厚度 1mm 時(shí),碳化硅涂層的吸波性能佳。





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