測試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向?qū)▔航? 整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。1開關時間測試單元技術條件 開通時間測試參數(shù)： 1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量：0。

測試的IGBT參數(shù)包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態(tài)門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態(tài)集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導）、rCE（導通電阻）等全直流參數(shù), 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內(nèi)重復測試精度。因此，測量大電流情況下的各個模塊實際技術參數(shù)，進行跟蹤管理，可有效保障機車中間直流環(huán)節(jié)可靠運行。

半導體元件全自動測試系統(tǒng)，可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。每個電流模塊，都具有獨立的供電系統(tǒng)，以便在測試時，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用； 可選購外部高壓模塊，執(zhí)行關閉狀態(tài)參數(shù)測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。

3.6 VCES 集射極截止電壓 0~5000V 集電極電流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA；1～200AVge柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0。 10～50mA±1%±0.1mA； 集電極電壓VCES： 0-5000V±1.5%±2V； * 3.7 ICES 集射極截止電流 0.01～50mA 集電極電壓VCES： 50～500V±2%±1V； 500～5000V±1.5%±2V； 集電極電流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～150mA±1%±0.1mA； * 3.8 VCE(sat) 飽和導通壓降 0.001～10V 集電極電流ICE： 0-1600A 集電極電壓VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 柵極電壓Vge： 5～40V±1%±0.01V 集電極電流ICE： 0～100A±1%±1A； 100～1600A±2%±2A； * 3.9 Iges 柵極漏電流 0.01～10μA 柵極漏電流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 柵極電壓Vge： ±1Ｖ～40V±1%±0.1V； Vce=0V； * 3.10 VF 正向特性測試 0.1～5V 二極管導通電壓Vf： 0.1～5V±1%±0.01V 電流IF： 0～100A±2%±1A； 100～1600A±1.5%±2A；