反滲透EDI工藝都是一個(gè)理想的選擇

EDI的凈水基本過程： （1）連續(xù)運(yùn)行，產(chǎn)品水水質(zhì)穩(wěn)定 （2）容易實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)控制 （3）無須用酸堿再生 （4）不會(huì)因再生而停機(jī)，節(jié)省了再生用水及再生污水處理設(shè)施 （5）產(chǎn)水率高（可達(dá)95%）。 EDI裝置屬于精處理水系統(tǒng)，一般多與反滲透（RO）配合使用，組成預(yù)處理、反滲透、EDI裝置的超純水處理系統(tǒng)，取代了傳統(tǒng)水處理工藝的混合離子交換設(shè)備。EDI裝置進(jìn)水要求為電阻率為0.025-0.5MΩ·cm，反滲透裝置完全可以滿足要求。EDI裝置可生產(chǎn)電阻率高達(dá)15MΩ·cm以上的超純水。 對于高純水系統(tǒng)，無論從產(chǎn)水質(zhì)量、性能和操作等方面考慮，還是從運(yùn)行費(fèi)用和環(huán)保等方面考慮，反滲透 EDI工藝都是一個(gè)理想的選擇。

EDI設(shè)備的污染判斷及清洗方法

EDI設(shè)備的污染判斷及清洗方法 雖然EDI膜塊的進(jìn)水條件在很大的程度上減少了膜塊內(nèi)部阻塞的機(jī)會(huì)，但是隨著設(shè)備運(yùn)行時(shí)間的延展，EDI膜塊內(nèi)部水道還是有可能產(chǎn)生阻塞，這主要是EDI進(jìn)水中含有較多的溶質(zhì)，在濃水室中形成鹽的沉淀。如果進(jìn)水中含有大量的鈣鎂離子（硬度超過0.8ppm）、CO2和較高的 PH 值，將會(huì)加快沉淀的速度。遇到這種情況，我們可以通過化學(xué)清洗的方法對EDI膜塊進(jìn)行清洗，使之恢復(fù)到原來的技術(shù)特性。

高純水設(shè)備性能優(yōu)勢可連續(xù),穩(wěn)定地生產(chǎn)高品質(zhì)純水

高純水設(shè)備性能優(yōu)勢 可連續(xù)，穩(wěn)定地生產(chǎn)高品質(zhì)純水，無需因樹脂再生而停機(jī)。 無污染物排放，既環(huán)保又省去了廢液處理的投資。 設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小，節(jié)省空間，同時(shí)還具有節(jié)能優(yōu)點(diǎn)。 日常保養(yǎng)，操作簡單，勞動(dòng)強(qiáng)度低。 主要應(yīng)用行業(yè) 廣泛用于微電子工業(yè)，半導(dǎo)體工業(yè)，發(fā)電工業(yè)，制藥行業(yè)和實(shí)驗(yàn)室,也可以作為制藥蒸餾水、食物和飲料生產(chǎn)用水、發(fā)電廠的鍋爐的補(bǔ)給水，以及其它應(yīng)用高純水。