單光子探測在軍事方面的用途

是光的小能量量子。光電探測器的歷史發(fā)展1873年，英國發(fā)現(xiàn)硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。單光子探測技術，是近些年剛剛起步的一種新式光電探測技術，其原理是利用新式光電效應，可對入射的單個光子進行計數(shù)，以實現(xiàn)對極微弱目標信號的探測。有關專家認為，單光子探測技術能將現(xiàn)有的機載光電探測距離從幾十公里提高到幾千公里，勢必帶來機載目標探測系統(tǒng)的革命，極大地改變未來空天戰(zhàn)場的作戰(zhàn)方式。

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光電探測器

光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導率發(fā)生改變。光電探測器在軍事和國民經(jīng)濟的各個領域有廣泛用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于紅外熱成像、紅外遙感等方面。單光子探測技術入射的光子信號打到光電倍增器件上產(chǎn)生光電子，然后經(jīng)過倍增系統(tǒng)倍增產(chǎn)生電脈沖信號，稱為單光子脈沖。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。

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光電探測器的歷史發(fā)展

1873年，英國發(fā)現(xiàn)硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。隨著半導體的發(fā)展，各種新的光電導材料不斷出現(xiàn)。利用內(nèi)光電效應制成的光子型探測器，是用半導體材料制成的固態(tài)電子器件，主要包括光電導探測器和光伏型探測器等。在可見光波段方面，到50年代中期，性能良好的硒化鎘光敏電阻和紅外波段光電探測器都已投入使用。60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。 工作原理和特性 光電導效應是內(nèi)光電效應的一種。

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單光子探測器

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單光子探測模塊是滿足共聚焦顯微，熒光，發(fā)冷光和TCSPC的弱光探測需求的獨立模塊。Excelitas的單光子探測模塊SPCM提供市場上相對優(yōu)良的光子計數(shù)性能，例如高探測效率，低后脈沖，高均一性，高線性動態(tài)范圍和低暗計數(shù)。

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